Китайская компания ChangXin Memory (CXMT) планирует прекратить производство памяти DDR4, чтобы сосредоточиться на выпуске более современных стандартов DDR5 и HBM.Согласно отчетам, компания уже практически прекратила поставки DDR4 и планирует официально объявить о завершении жизненного цикла (EOL)
Читать дальше →
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует полностью прекратить выпуск DDR4 для серверов и ПК к середине 2026 года. По данным Digitimes, такое решение связано с директивой Коммунистической партии Китая, которая стремится занять лидирующие позиции в сфере ИИ и
Читать дальше →
Бывший сотрудник SK hynix был арестован в аэропорту Инчхон (Южная Корея) в начале мая при попытке передать секретные технологии компании китайским организациям. По данным DigiTimes, подозреваемый, известный как «мистер Ким», хотел передать конфиденциальную информацию о технологии высокопропускной
Читать дальше →
Samsung, второй по величине производитель микросхем памяти после SK Hynix, собирается прекратить производство своих микросхем DDR4, чтобы сосредоточиться на новых технологиях. DigiTimes Asia сообщает, что заказы на микросхемы памяти DDR4 закончатся в начале июня, а поставки модулей для ноутбуков и
Читать дальше →
Последнее исследование TrendForce показывает, что глобальный доход отрасли DRAM превысил 28 млрд долларов США в 4Q24, что на 9,9% больше, чем в предыдущем квартале. Этот рост был обусловлен в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и концентрированными поставками HBM, что привело к
Читать дальше →
В свой первый день инвесторов после отделения Western Digital компания SanDisk продемонстрировала то, над чем она работала, чтобы справиться с сектором ИИ. Высокоскоростная флэш-память (HBF) — это новая архитектура памяти, которая объединяет флэш-память 3D NAND с возможностями пропускной
Читать дальше →
Китайские производители памяти медленно, но верно переходят на производство памяти с высокой пропускной способностью (HBM) для процессоров AI и HPC. На этой неделе Nikkei сообщил, что третий китайский производитель, Tongfu Microelectronics, начал проводить испытания своей продукции HBM среди
Читать дальше →
На этой неделе SK hynix опубликовала рекордные показатели выручки, операционной прибыли и чистой прибыли за 2024 год. Компании удалось более чем удвоить выручку и вернуться к прибыльности в основном за счет возросшего спроса на премиальные типы динамической оперативной памяти (DRAM), такие как
Читать дальше →
Сегодня компания Micron Technology приступила к строительству многомиллиардного завода по производству упаковки для высокопроизводительной памяти (HBM) в Сингапуре. Компания инвестирует в завод 7 миллиардов долларов, поскольку ожидает, что спрос на память HBM3E, HBM4 и HBM4E резко возрастет в
Читать дальше →
Marvell Technology, Inc. (NASDAQ: MRVL), лидер в области решений для полупроводниковой инфраструктуры данных, сегодня объявила о том, что она стала пионером в разработке новой пользовательской архитектуры вычислений HBM, которая позволяет XPU достигать большей вычислительной и памятиной плотности.
Читать дальше →
На выставке Analyst Day 2024 компания Marvell анонсировала решение с высокой пропускной способностью памяти (CHBM) для своих пользовательских процессоров XPU, предназначенных для приложений искусственного интеллекта. Разработанный в партнерстве с ведущими производителями памяти, CHBM обещает
Читать дальше →
Marvell Technology, Inc., лидер в области решений для полупроводниковой инфраструктуры данных, сегодня объявила о том, что она стала пионером в разработке новой пользовательской архитектуры вычислений HBM, которая позволяет XPU достигать большей вычислительной и памятиной плотности. Новая технология
Читать дальше →
Новые электронные письма от инженеров Huawei относительно разработки ядра Linux предполагают, что HiSilicon — дочерняя компания Huawei по производству чипов — готовит новую SoC Kunpeng с технологией HBM (High Bandwidth Memory) — как подчеркивает Phoronix. Это, вероятно, будет первый значительный
Читать дальше →
Санкции США, призванные ограничить возможности Китая импортировать технологии для развития его ИИ и военного потенциала, снова ужесточаются, сообщает Financial Times. В третий раз за три года ограничения на экспорт передовых полупроводниковых инструментов и технологий были настроены на замедление
Читать дальше →
8-й выпуск Samsung AI Forum прошел 4 и 5 ноября в Сеуле, и среди всех презентаций и основных докладов наше внимание привлекла одна информация. Как сообщает The Chosun Daily, Samsung (снова) обращает свое внимание на технологию Processing-in-Memory (PIM), что, по-видимому, является последней попыткой
Читать дальше →
NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий для флэш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, объявила сегодня о разработке своей технологии чипов 3D X-AI, призванной заменить существующие чипы DRAM в памяти с высокой пропускной способностью (HBM) для устранения узких мест на шине данных. за
Читать дальше →
Сегодня компания объявила, что Ampere добавляет в свою дорожную карту новый 512-ядерный процессор AmpereOne Aurora. Этот новый чип имеет специальные ядра Arm, а также специальную сетку и межсоединение кристалла. Он также поддерживает память HBM и блоки ускорения искусственного интеллекта нового
Читать дальше →
Samsung Electronics объявила о партнерстве с японской компанией Preferred Networks, занимающейся искусственным интеллектом, для поставки передовых процессоров, изготовленных по 2-нм техпроцессу (который, предположительно, также известен как SF3P) и упакованных с использованием упаковочной
Читать дальше →
Innotron, материнская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), планирует инвестировать 2,4 миллиарда долларов в новое современное упаковочное предприятие в Шанхае. По данным Bloomberg, этот завод сосредоточится на упаковке чипов памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и начнет
Читать дальше →
Ранее Micron объявила о планах увеличить свою долю на рынке памяти с высокой пропускной способностью (HBM) с «средних однозначных цифр» сегодня до середины 20% (т.е. ~25%) примерно через год. Однако компания не поделилась подробностями о том, как она будет наращивать мощности
Читать дальше →
