Стартап d-Matrix заявляет, что его 3D-память будет до 10 раз быстрее и эффективнее, чем HBM (High Bandwidth Memory). Технология 3D Digital In-Memory Compute (3DIMC) компании представляет собой решение для типа памяти, специально созданного для задач ИИ-инференса.Высокопроизводительная память HBM
Читать дальше →
Ресурс DigiTimes сообщает, что Yangtze Memory Technologies Corp. (YMTC) готовится к выходу на рынок производства DRAM и изучает возможность партнерства с ChangXin Memory Technologies (CXMT) для работы над памятью High Bandwidth Memory (HBM) — премиальной DRAM, которая используется рядом с многими
Читать дальше →
Компания Nvidia объявила о планах по самостоятельной разработке базовых кристаллов (Base Die) для памяти HBM на основе 3-нанометрового технологического процесса. Ожидается, что мелкосерийное пробное производство начнётся во второй половине 2027 года. Эта инициатива направлена на устранение
Читать дальше →
Согласно рыночным данным, NVIDIA разрабатывает собственный дизайн High Bandwidth Memory (HBM) Base Die с использованием 3-нм технологического процесса. Пробное производство может начаться в конце 2027 года. Аналитики TrendForce, ссылаясь на Commercial Times, считают этот шаг стратегическим — он
Читать дальше →
Несмотря на планы начать поставки во втором квартале 2025 года, компания Samsung отстаёт от конкурентов в поставках HBM3E-памяти для NVIDIA. В то время как SK Hynix и Micron уже обеспечивают чипы для графических ускорителей, Samsung столкнулась с техническими сложностями.Теперь Samsung
Читать дальше →
На фоне торговых противостояний между Китаем и США южнокорейский гигант SK Hynix, также затронутый тарифами, ожидает, что мировой рынок чипов High Bandwidth Memory (HBM), используемых в искусственном интеллекте, будет расти примерно на 30% в год до 2030 года. Этот рост обусловлен ускоренным
Читать дальше →
Южнокорейский гигант Samsung, уступивший лидерство в производстве HBM-памяти компании SK Hynix, теперь намерен вернуть утраченные позиции. Ключевым аргументом в борьбе за заказы NVIDIA станет снижение цен и гарантии стабильных поставок новейшей памяти HBM3E.HBM-память (High Bandwidth Memory)
Читать дальше →
Компания LG Electronics начала реализацию плана по выходу на рынок производителей полупроводникового оборудования. Научно-исследовательский институт производственных технологий LG приступил к разработке машины для гибридного соединения, предназначенной для памяти следующего поколения HBM (High
Читать дальше →
Несмотря на американские санкции, которые сильно ограничили Huawei, китайский гигант не только не сдался, но и начал стремительно наверстывать упущенное — часто внедряя новые технологии быстрее глобальных конкурентов. Например, Mate X3 стал первым в мире смартфоном с тройным складным экраном.
Читать дальше →
Samsung Electronics достигла важного технологического рубежа, получив одобрение на готовность к массовому производству DRAM шестого поколения. Как сообщает Korea Herald, компания получила внутреннее разрешение на запуск серийного выпуска, что означает завершение разработки передового
Читать дальше →
Компания Micron объявила о расширении стратегии строительства производственных мощностей в США, включая инвестиции в размере $150 млрд (~12.4 трлн руб.), создание фабрики по упаковке HBM-памяти в Вирджинии и вложения $50 млрд (~4.1 трлн руб.) в исследования и разработки. Первая новая фабрика
Читать дальше →
На совместном брифинге на этой неделе лаборатория Memory Systems Laboratory KAIST и группа TERA Interconnection and Packaging представили перспективную дорожную карту развития стандартов памяти High Bandwidth Memory (HBM) и ускорителей, которые будут их использовать. Как сообщают Wccftech и
Читать дальше →
Корейский институт передовых технологий (KAIST) и лаборатория TERA представили прогноз развития HBM-памяти и GPU для искусственного интеллекта на ближайшее десятилетие. Их выводы шокируют. Сейчас самым передовым стандартом памяти является HBM3E, который используется в
Читать дальше →
Американский гигант Intel и японская корпорация SoftBank объединились для создания альтернативы памяти HBM (High Bandwidth Memory). Совместное предприятие Saimemory займется разработкой прототипа на базе технологий Intel и патентов японских университетов, включая Токийский университет. Цель —
Читать дальше →
Китайская компания ChangXin Memory (CXMT) планирует прекратить производство памяти DDR4, чтобы сосредоточиться на выпуске более современных стандартов DDR5 и HBM.Согласно отчетам, компания уже практически прекратила поставки DDR4 и планирует официально объявить о завершении жизненного цикла (EOL)
Читать дальше →
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует полностью прекратить выпуск DDR4 для серверов и ПК к середине 2026 года. По данным Digitimes, такое решение связано с директивой Коммунистической партии Китая, которая стремится занять лидирующие позиции в сфере ИИ и
Читать дальше →
Бывший сотрудник SK hynix был арестован в аэропорту Инчхон (Южная Корея) в начале мая при попытке передать секретные технологии компании китайским организациям. По данным DigiTimes, подозреваемый, известный как «мистер Ким», хотел передать конфиденциальную информацию о технологии высокопропускной
Читать дальше →
Samsung, второй по величине производитель микросхем памяти после SK Hynix, собирается прекратить производство своих микросхем DDR4, чтобы сосредоточиться на новых технологиях. DigiTimes Asia сообщает, что заказы на микросхемы памяти DDR4 закончатся в начале июня, а поставки модулей для ноутбуков и
Читать дальше →
Последнее исследование TrendForce показывает, что глобальный доход отрасли DRAM превысил 28 млрд долларов США в 4Q24, что на 9,9% больше, чем в предыдущем квартале. Этот рост был обусловлен в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и концентрированными поставками HBM, что привело к
Читать дальше →
В свой первый день инвесторов после отделения Western Digital компания SanDisk продемонстрировала то, над чем она работала, чтобы справиться с сектором ИИ. Высокоскоростная флэш-память (HBF) — это новая архитектура памяти, которая объединяет флэш-память 3D NAND с возможностями пропускной
Читать дальше →
