Китайская компания Changxin Memory начала серийное производство 12-слойной памяти HBM

Китайский производитель микросхем памяти Changxin Memory Technologies (CXMT) начал серийное производство 12-слойной высокоскоростной памяти (HBM). Это ключевой прорыв, который позволил компании выйти на рынок высокопроизводительного оборудования для искусственного интеллекта.

Технологический разрыв между китайскими производителями и ведущими южнокорейскими компаниями, такими как Samsung Electronics и SK Hynix, которые долгое время доминировали на мировом рынке HBM, сократился до менее чем трёх лет. Основная сложность в производстве HBM заключается в чрезвычайно сложном процессе вертикальной укладки и соединения слоёв DRAM, и освоение этой технологии отражает передовой уровень развития китайской полупроводниковой отрасли.

Для расширения своего влияния Changxin Memory выделила около 20% своих общих мощностей по производству DRAM под выпуск HBM. После завершения этой трансформации её ежемесячная производительность достигнет 60 000 пластин. На данном этапе компания фокусируется на удовлетворении внутреннего спроса на продукты для ИИ, одновременно готовясь к будущему выходу на международный рынок.

Для поддержания роста Changxin Memory планирует привлечь 4,2 миллиарда долларов США посредством IPO. Эти средства будут направлены на строительство нового завода по производству HBM и модернизацию существующих мощностей. Сотрудничая с поставщиками оборудования, компания ожидает завершения строительства основной производственной инфраструктуры в 2026 году.

Появление 12-слойной HBM от китайского производителя усиливает конкурентное давление на лидеров рынка, вынуждая их ускорять разработку более совершенных технологий. Эксперты прогнозируют, что следующий этап конкуренции в индустрии будет сосредоточен на разработке и внедрении 16-слойных и гибридных технологий соединения.