Kioxia разрабатывает технологию OCTRAM (оксидно-полупроводниковый канальный транзистор DRAM)

/ Новости / Технологии
Корпорация Kioxia, мировой лидер в области решений для оперативной памяти, сегодня объявила о разработке OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), нового типа DRAM 4F2, состоящего из оксидно-полупроводникового транзистора, который имеет высокий ток включения и сверхнизкий ток выключения
Читать дальше →

NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычислений

/ Новости / Технологии
NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычислений На престижной конференции IEDM 2024 компания NVIDIA представила свое видение будущего дизайна ускорителя ИИ, которому компания планирует следовать в будущих итерациях ускорителей. В настоящее время пределы упаковки чипов и кремниевых инноваций расширяются. Однако будущим ускорителям ИИ могут
Читать дальше →

Samsung: планы на 2026–2027 гг

/ Новости / Технологии
Samsung: планы на 2026–2027 гг В настоящее время Samsung занимается массовым производством своих чипов флэш-памяти V-NAND 9-го поколения с 286 слоями, представленных в апреле этого года. По данным Korean Economic Daily, компания планирует выпустить чипы памяти V-NAND с не менее чем 400 уложенными слоями к 2026 году. В 2013 году
Читать дальше →

Samsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 Гбайт

/ Новости / Технологии
Samsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 Гбайт Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке первой в отрасли 24-гигабитной (Гб) памяти GDDR7 DRAM. Помимо самой высокой в отрасли емкости, GDDR7 отличается самой высокой скоростью, позиционируя себя как оптимальное решение для приложений
Читать дальше →

Apacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложений

/ Новости / Технологии
Apacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложений Компания Apacer с радостью представит свои новейшие достижения в области безопасности данных, надежности и целостности для игровых систем казино на выставке Global Gaming Expo в выставочном зале, которая пройдет с 8 по 10 октября 2024 года. Приглашаем вас посетить наш стенд 5221, чтобы ознакомиться
Читать дальше →

Пустые слоты ОЗУ могут снизить производительность DRAM

/ Новости / Технологии
Пустые слоты ОЗУ могут снизить производительность DRAM Новая конструкция слота оперативной памяти NitroPath от Asus, которая появилась на некоторых материнских платах Asus X870E и Z890, увеличивает скорость оперативной памяти до 400 МТ/с, сокращая вредные электрические помехи от пустых слотов оперативной памяти. Der8auer, завсегдатай в сфере
Читать дальше →

SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производить

/ Новости / Технологии
SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производить Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для производства логических микросхем, DRAM ICs необходимо использовать EUV-литографию, поскольку транзисторы становятся меньше. В настоящее время Samsung и SK hynix используют EUV для нескольких слоев, что является дорогостоящим. Чтобы
Читать дальше →

NEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM с обработкой на базе искусственного интеллекта

/ Новости / Технологии
NEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM с обработкой на базе искусственного интеллекта NEO Semiconductor, фокусирующаяся на флэш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, анонсировала технологию чипа 3D X-AI для замены HBM, которые в настоящее время используются в ускорителях AI GPU. Эта 3D DRAM имеет встроенную обработку AI, которая позволяет ей обрабатывать и генерировать выходные данные, не
Читать дальше →

Комплект V-COLOR DDR5 RGB Filler без DRAM теперь совместим с процессорами AMD Ryzen

/ Новости / Технологии
Комплект V-COLOR DDR5 RGB Filler без DRAM теперь совместим с процессорами AMD Ryzen Компания V-COLOR Technology Inc. рада объявить о расширении своей линейки продуктов выпуском DDR5 MANTA DDR5 XFinity Filler Kit. Этот мощный комбо обеспечивает скорость от 5600 до 7200 МГц. Комплект SSC 2+2 демонстрирует приверженность V-COLOR инновациям и качеству, что подчеркивается
Читать дальше →

Imec демонстрирует структуры с использованием EUV-литографии

/ Новости / Технологии
Imec демонстрирует структуры с использованием EUV-литографии Imec, ведущий мировой исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, представляет узорчатые структуры, полученные после экспонирования с помощью EUV-сканера 0,55NA в совместной лаборатории литографии ASML-imec High NA EUV в Вельдховене, Нидерланды. Структуры
Читать дальше →

Samsung Electronics начинает массовое производство самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X

/ Новости / Технологии
Samsung Electronics начинает массовое производство самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X емкостью 12 нанометров (Нм) емкостью 12 ГБ и 16 ГБ, укрепляя свое лидерство в сегменте низкочастотной памяти. Рынок Power
Читать дальше →

Доходы от DRAM и NAND могут вырасти до $90 млрд и $67 млрд в 2024 году благодаря ИИ

/ Новости / Технологии
Доходы от DRAM и NAND могут вырасти до $90 млрд и $67 млрд в 2024 году благодаря ИИ В этом году отрасли DRAM и NAND флэш-памяти могут достичь огромного дохода. В журнале Storage Newsletter сообщается, что в этом году ожидается увеличение доходов от флэш-памяти DRAM и NAND на колоссальные 75% и 77% соответственно. Основная привлекательность — это высокодоходные продукты, спрос на
Читать дальше →

Samsung планирует начать массовое производство DRAM CXL 2.0 позднее в этом году

/ Новости / Игры
Samsung планирует начать массовое производство DRAM CXL 2.0 позднее в этом году Компания Samsung Electronics Co. прилагает много усилий для обеспечения своего участия в разработке технологии памяти нового поколения CXL (Compute Express Link). На брифинге для СМИ в четверг Чансок Чхве, вице-президент новой команды бизнес-планирования Samsung, объявил о планах к концу этого года
Читать дальше →

По прогнозам TrendForce, в следующем квартале потребительские цены на DRAM и VRAM вырастут на 8%

/ Новости / Технологии
По прогнозам TrendForce, в следующем квартале потребительские цены на DRAM и VRAM вырастут на 8% Поскольку спрос на вычислительные мощности искусственного интеллекта и центры обработки данных продолжает расти, растет и потребность в некоторых ключевых компьютерных компонентах, включая память. По данным исследовательской компании Trend Force, этот серьезный рост спроса на серверы и увеличение
Читать дальше →

Micron развивает технологию DRAM с помощью EUV-литографии

/ Новости / Технологии
Micron развивает технологию DRAM с помощью EUV-литографии В отличие от конкурентов, Micron не спешила использовать EUV-литографию для изготовления DRAM, поэтому все чипы памяти компании, выпускаемые сегодня в крупносерийном производстве, производятся с использованием техпроцессов, основанных исключительно на DUV-литографии. Но Micron не может избежать
Читать дальше →

Профсоюз Samsung объявил забастовку

/ Новости / Технологии
Профсоюз Samsung объявил забастовку Профсоюз рабочих Samsung в Южной Корее проведёт однодневную забастовку. Это будет первая подобная акция в истории компании. Однако она не повлияет на производство чипов памяти DRAM и NAND, так как до объявления о забастовке спотовые цены на эти элементы снижались. Профсоюз Samsung
Читать дальше →

Планы Micron по созданию дополнительного завода DRAM в Хиросиме отложены до 2027 года

/ Новости / Технологии
Планы Micron по созданию дополнительного завода DRAM в Хиросиме отложены до 2027 года Производитель памяти Micron Technology планирует построить новый завод DRAM в Хиросиме, Япония. Новый завод будет оснащен оборудованием для литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV), что позволит производить самые передовые продукты памяти Micron. Компания планирует начать работу в
Читать дальше →

Планы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAM

/ Новости / Технологии
Планы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAM Samsung прилагает все усилия для разработки 3D DRAM, будущего компактной оперативной памяти, согласно ее презентации на IMW 2024. VCT (транзистор с вертикальным каналом) DRAM — первая гора, которая покорила эту цель, и Samsung планирует завершить ее первоначальную разработку. в следующем году, а
Читать дальше →

Ожидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBM

/ Новости / Технологии
Ожидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBM По данным TrendForce, после четырёх месяцев роста цены на микросхемы памяти DDR4 стабилизировались. Но этому положению может угрожать ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 и DDR5. В этом квартале
Читать дальше →

Новый глава полупроводникового бизнеса Samsung Electronics

/ Новости / Технологии
Новый глава полупроводникового бизнеса Samsung Electronics Компания Samsung Electronics назначила директором полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна. Он участвовал в разработке DRAM и NAND и руководил бизнесом по выпуску аккумуляторов. Новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменил Кюн Ки Хёна, который теперь будет управлять
Читать дальше →