Micron вложила 160 млрд рублей в производство DDR4 в США для борьбы с дефицитом

Компания Micron Technology объявила о начале массового производства DRAM по 1α-технологии на своем заводе в Манассасе, штат Вирджиния. Это стало первым случаем внедрения данной технологической схемы на территории Соединенных Штатов.

Общий объем инвестиций в проект расширения превышает 2 миллиарда долларов США (около 160 миллиардов рублей), включая 275 миллионов долларов США (около 22 миллиардов рублей) финансирования в рамках Закона США о чипах и науке. После ввода в эксплуатацию завод в Манассасе увеличит свою производственную мощность по выпуску пластин DDR4 в четыре раза, а массовое производство и поставки ожидаются к концу 2026 года.

Технологический процесс 1α — это первая технология DRAM от Micron, позволяющая достичь размеров ячеек менее 15 нанометров, с плотностью битов примерно на 40% выше, чем в предыдущем процессе 1z. В настоящее время Micron является единственным производителем памяти в Соединенных Штатах, и ее завод в Манассасе в основном обслуживает клиентов в отраслях с длительным жизненным циклом, таких как автомобильная, оборонная, аэрокосмическая, промышленная, сетевая и медицинская промышленность.

В последнее время мировые производители памяти переориентировали свои производственные мощности на DDR5, LPDDR5X и высокоскоростную память (HBM), что привело к дефициту памяти DDR4. Расширение производственных мощностей Micron направлено на смягчение этого дефицита на рынке за счет создания специализированной линии по производству DDR4 и LP4, что позволит избежать конкуренции за мощности с передовыми линейками продукции компании, ориентированными на рынок искусственного интеллекта.

Ожидается, что проект создаст более 3100 рабочих мест и является частью плана Micron по внутренним инвестициям в США на сумму около 200 миллиардов долларов (примерно 16 триллионов рублей).