Tachyum показала DRAM для ИИ на Prodigy FPGA

/ Новости / Технологии
Tachyum показала DRAM для ИИ на Prodigy FPGA Компания Tachyum сегодня объявила об успешной реализации корректной системы DRAM Failover на своем универсальном процессоре Prodigy, продемонстрировав повышенную надежность для еще более масштабных приложений искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений даже в случае сбоев микросхем
Читать дальше →

Рост выручки в отрасли DRAM в 4К24

/ Новости / Технологии
Рост выручки в отрасли DRAM в 4К24 Последнее исследование TrendForce показывает, что глобальный доход отрасли DRAM превысил 28 млрд долларов США в 4Q24, что на 9,9% больше, чем в предыдущем квартале. Этот рост был обусловлен в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и концентрированными поставками HBM, что привело к
Читать дальше →

Micron объявляет о поставке 1γ (1-гамма) DRAM: первого узла EUV-памяти компании

/ Новости / Технологии
Micron объявляет о поставке 1γ (1-гамма) DRAM: первого узла EUV-памяти компании Компания Micron Technology, Inc. сегодня объявила, что она первая в отрасли поставляет образцы своей памяти DDR5 на основе узлов DRAM 1γ (1-гамма), шестого поколения (класс 10 нм), предназначенной для процессоров следующего поколения, партнерам по экосистеме и избранным клиентам. Этот важный этап в
Читать дальше →

Ведущие производители DRAM могут прекратить выпуск DDR4 и DDR3 к концу 2025 года

/ Новости / Технологии
Ведущие производители DRAM могут прекратить выпуск DDR4 и DDR3 к концу 2025 года Ведущие производители DRAM — Micron, Samsung и SK hynix — могут прекратить производство памяти DDR3 и DDR4 к концу года. Решение обусловлено низкими ценами, вызванными демпингом (китайскими производителями) и снижением спроса, сообщает DigiTimes. Это может потенциально привести к дефициту памяти
Читать дальше →

KIOXIA выпустила ПО AiSAQ для снижения потребности в DRAM

/ Новости / Технологии
KIOXIA выпустила ПО AiSAQ для снижения потребности в DRAM Корпорация Kioxia, мировой лидер в области решений для памяти, сегодня объявила о выпуске с открытым исходным кодом своей новой технологии All-in-Storage ANNS с квантованием продукта (AiSAQ). Новый алгоритм поиска «приблизительного ближайшего соседа» (ANNS), оптимизированный для SSD, программное
Читать дальше →

Transcend выпустила модули DDR5 6400 для ПК

/ Новости / Технологии
Transcend выпустила модули DDR5 6400 для ПК Transcend Information Inc. (Transcend), мировой лидер в области решений для хранения данных, с гордостью представляет новые модули DDR5 6400 CUDIMM DRAM. Разработанные специально для геймеров, создателей контента, энтузиастов DIY PC и требовательных профессионалов, эти модули предлагают повышенную
Читать дальше →

Imec разрабатывает новую буферную память CXL, которая может превзойти плотность бит DRAM

/ Новости / Технологии
Imec разрабатывает новую буферную память CXL, которая может превзойти плотность бит DRAM На этой неделе на Международном собрании IEEE по электронным приборам (IEDM) 2024 года imec, ведущий в мире исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, предлагает новое 3D-интегрированное устройство с зарядовой связью (ПЗС), которое может работать как
Читать дальше →

Kioxia разрабатывает технологию OCTRAM (оксидно-полупроводниковый канальный транзистор DRAM)

/ Новости / Технологии
Корпорация Kioxia, мировой лидер в области решений для оперативной памяти, сегодня объявила о разработке OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), нового типа DRAM 4F2, состоящего из оксидно-полупроводникового транзистора, который имеет высокий ток включения и сверхнизкий ток выключения
Читать дальше →

NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычислений

/ Новости / Технологии
NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычислений На престижной конференции IEDM 2024 компания NVIDIA представила свое видение будущего дизайна ускорителя ИИ, которому компания планирует следовать в будущих итерациях ускорителей. В настоящее время пределы упаковки чипов и кремниевых инноваций расширяются. Однако будущим ускорителям ИИ могут
Читать дальше →

Samsung: планы на 2026–2027 гг

/ Новости / Технологии
Samsung: планы на 2026–2027 гг В настоящее время Samsung занимается массовым производством своих чипов флэш-памяти V-NAND 9-го поколения с 286 слоями, представленных в апреле этого года. По данным Korean Economic Daily, компания планирует выпустить чипы памяти V-NAND с не менее чем 400 уложенными слоями к 2026 году. В 2013 году
Читать дальше →

Samsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 Гбайт

/ Новости / Технологии
Samsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 Гбайт Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке первой в отрасли 24-гигабитной (Гб) памяти GDDR7 DRAM. Помимо самой высокой в отрасли емкости, GDDR7 отличается самой высокой скоростью, позиционируя себя как оптимальное решение для приложений
Читать дальше →

Apacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложений

/ Новости / Технологии
Apacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложений Компания Apacer с радостью представит свои новейшие достижения в области безопасности данных, надежности и целостности для игровых систем казино на выставке Global Gaming Expo в выставочном зале, которая пройдет с 8 по 10 октября 2024 года. Приглашаем вас посетить наш стенд 5221, чтобы ознакомиться
Читать дальше →

Пустые слоты ОЗУ могут снизить производительность DRAM

/ Новости / Технологии
Пустые слоты ОЗУ могут снизить производительность DRAM Новая конструкция слота оперативной памяти NitroPath от Asus, которая появилась на некоторых материнских платах Asus X870E и Z890, увеличивает скорость оперативной памяти до 400 МТ/с, сокращая вредные электрические помехи от пустых слотов оперативной памяти. Der8auer, завсегдатай в сфере
Читать дальше →

SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производить

/ Новости / Технологии
SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производить Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для производства логических микросхем, DRAM ICs необходимо использовать EUV-литографию, поскольку транзисторы становятся меньше. В настоящее время Samsung и SK hynix используют EUV для нескольких слоев, что является дорогостоящим. Чтобы
Читать дальше →

NEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM с обработкой на базе искусственного интеллекта

/ Новости / Технологии
NEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM с обработкой на базе искусственного интеллекта NEO Semiconductor, фокусирующаяся на флэш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, анонсировала технологию чипа 3D X-AI для замены HBM, которые в настоящее время используются в ускорителях AI GPU. Эта 3D DRAM имеет встроенную обработку AI, которая позволяет ей обрабатывать и генерировать выходные данные, не
Читать дальше →

Комплект V-COLOR DDR5 RGB Filler без DRAM теперь совместим с процессорами AMD Ryzen

/ Новости / Технологии
Комплект V-COLOR DDR5 RGB Filler без DRAM теперь совместим с процессорами AMD Ryzen Компания V-COLOR Technology Inc. рада объявить о расширении своей линейки продуктов выпуском DDR5 MANTA DDR5 XFinity Filler Kit. Этот мощный комбо обеспечивает скорость от 5600 до 7200 МГц. Комплект SSC 2+2 демонстрирует приверженность V-COLOR инновациям и качеству, что подчеркивается
Читать дальше →

Imec демонстрирует структуры с использованием EUV-литографии

/ Новости / Технологии
Imec демонстрирует структуры с использованием EUV-литографии Imec, ведущий мировой исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, представляет узорчатые структуры, полученные после экспонирования с помощью EUV-сканера 0,55NA в совместной лаборатории литографии ASML-imec High NA EUV в Вельдховене, Нидерланды. Структуры
Читать дальше →

Samsung Electronics начинает массовое производство самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X

/ Новости / Технологии
Samsung Electronics начинает массовое производство самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X емкостью 12 нанометров (Нм) емкостью 12 ГБ и 16 ГБ, укрепляя свое лидерство в сегменте низкочастотной памяти. Рынок Power
Читать дальше →

Доходы от DRAM и NAND могут вырасти до $90 млрд и $67 млрд в 2024 году благодаря ИИ

/ Новости / Технологии
Доходы от DRAM и NAND могут вырасти до $90 млрд и $67 млрд в 2024 году благодаря ИИ В этом году отрасли DRAM и NAND флэш-памяти могут достичь огромного дохода. В журнале Storage Newsletter сообщается, что в этом году ожидается увеличение доходов от флэш-памяти DRAM и NAND на колоссальные 75% и 77% соответственно. Основная привлекательность — это высокодоходные продукты, спрос на
Читать дальше →

Samsung планирует начать массовое производство DRAM CXL 2.0 позднее в этом году

/ Новости / Игры
Samsung планирует начать массовое производство DRAM CXL 2.0 позднее в этом году Компания Samsung Electronics Co. прилагает много усилий для обеспечения своего участия в разработке технологии памяти нового поколения CXL (Compute Express Link). На брифинге для СМИ в четверг Чансок Чхве, вице-президент новой команды бизнес-планирования Samsung, объявил о планах к концу этого года
Читать дальше →