Ferroelectric Memory Co. (FMC) и Neumonda создали партнерство для коммерциализации "DRAM+", архитектуры памяти сегнетоэлектрика (FeRAM), объединяющей скорость DRAM с энергонезависимым сохранением данных. Технология заменяет обычные конденсаторы на элементы сегнетоэлектрического оксида
Читать дальше →
Прошли те времена, когда Infineon и Qimonda разрабатывали и производили динамическую память с произвольным доступом в Германии, поскольку в Европе стало особенно невыгодно производить товарную память. Однако Ferroelectric Memory Co. (FMC) объединила усилия с Neumonda, чтобы восстановить
Читать дальше →
Компания Tachyum сегодня объявила об успешной реализации корректной системы DRAM Failover на своем универсальном процессоре Prodigy, продемонстрировав повышенную надежность для еще более масштабных приложений искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений даже в случае сбоев микросхем
Читать дальше →
Последнее исследование TrendForce показывает, что глобальный доход отрасли DRAM превысил 28 млрд долларов США в 4Q24, что на 9,9% больше, чем в предыдущем квартале. Этот рост был обусловлен в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и концентрированными поставками HBM, что привело к
Читать дальше →
Компания Micron Technology, Inc. сегодня объявила, что она первая в отрасли поставляет образцы своей памяти DDR5 на основе узлов DRAM 1γ (1-гамма), шестого поколения (класс 10 нм), предназначенной для процессоров следующего поколения, партнерам по экосистеме и избранным клиентам. Этот важный этап в
Читать дальше →
Ведущие производители DRAM — Micron, Samsung и SK hynix — могут прекратить производство памяти DDR3 и DDR4 к концу года. Решение обусловлено низкими ценами, вызванными демпингом (китайскими производителями) и снижением спроса, сообщает DigiTimes. Это может потенциально привести к дефициту памяти
Читать дальше →
Корпорация Kioxia, мировой лидер в области решений для памяти, сегодня объявила о выпуске с открытым исходным кодом своей новой технологии All-in-Storage ANNS с квантованием продукта (AiSAQ). Новый алгоритм поиска «приблизительного ближайшего соседа» (ANNS), оптимизированный для SSD, программное
Читать дальше →
Transcend Information Inc. (Transcend), мировой лидер в области решений для хранения данных, с гордостью представляет новые модули DDR5 6400 CUDIMM DRAM. Разработанные специально для геймеров, создателей контента, энтузиастов DIY PC и требовательных профессионалов, эти модули предлагают повышенную
Читать дальше →
На этой неделе на Международном собрании IEEE по электронным приборам (IEDM) 2024 года imec, ведущий в мире исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, предлагает новое 3D-интегрированное устройство с зарядовой связью (ПЗС), которое может работать как
Читать дальше →
Корпорация Kioxia, мировой лидер в области решений для оперативной памяти, сегодня объявила о разработке OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), нового типа DRAM 4F2, состоящего из оксидно-полупроводникового транзистора, который имеет высокий ток включения и сверхнизкий ток выключения
Читать дальше →
На престижной конференции IEDM 2024 компания NVIDIA представила свое видение будущего дизайна ускорителя ИИ, которому компания планирует следовать в будущих итерациях ускорителей. В настоящее время пределы упаковки чипов и кремниевых инноваций расширяются. Однако будущим ускорителям ИИ могут
Читать дальше →
В настоящее время Samsung занимается массовым производством своих чипов флэш-памяти V-NAND 9-го поколения с 286 слоями, представленных в апреле этого года. По данным Korean Economic Daily, компания планирует выпустить чипы памяти V-NAND с не менее чем 400 уложенными слоями к 2026 году. В 2013 году
Читать дальше →
Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке первой в отрасли 24-гигабитной (Гб) памяти GDDR7 DRAM. Помимо самой высокой в отрасли емкости, GDDR7 отличается самой высокой скоростью, позиционируя себя как оптимальное решение для приложений
Читать дальше →
Компания Apacer с радостью представит свои новейшие достижения в области безопасности данных, надежности и целостности для игровых систем казино на выставке Global Gaming Expo в выставочном зале, которая пройдет с 8 по 10 октября 2024 года. Приглашаем вас посетить наш стенд 5221, чтобы ознакомиться
Читать дальше →
Новая конструкция слота оперативной памяти NitroPath от Asus, которая появилась на некоторых материнских платах Asus X870E и Z890, увеличивает скорость оперативной памяти до 400 МТ/с, сокращая вредные электрические помехи от пустых слотов оперативной памяти. Der8auer, завсегдатай в сфере
Читать дальше →
Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для производства логических микросхем, DRAM ICs необходимо использовать EUV-литографию, поскольку транзисторы становятся меньше. В настоящее время Samsung и SK hynix используют EUV для нескольких слоев, что является дорогостоящим. Чтобы
Читать дальше →
NEO Semiconductor, фокусирующаяся на флэш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, анонсировала технологию чипа 3D X-AI для замены HBM, которые в настоящее время используются в ускорителях AI GPU. Эта 3D DRAM имеет встроенную обработку AI, которая позволяет ей обрабатывать и генерировать выходные данные, не
Читать дальше →
Компания V-COLOR Technology Inc. рада объявить о расширении своей линейки продуктов выпуском DDR5 MANTA DDR5 XFinity Filler Kit. Этот мощный комбо обеспечивает скорость от 5600 до 7200 МГц. Комплект SSC 2+2 демонстрирует приверженность V-COLOR инновациям и качеству, что подчеркивается
Читать дальше →
Imec, ведущий мировой исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, представляет узорчатые структуры, полученные после экспонирования с помощью EUV-сканера 0,55NA в совместной лаборатории литографии ASML-imec High NA EUV в Вельдховене, Нидерланды. Структуры
Читать дальше →
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X емкостью 12 нанометров (Нм) емкостью 12 ГБ и 16 ГБ, укрепляя свое лидерство в сегменте низкочастотной памяти. Рынок Power
Читать дальше →
