В настоящее время Samsung занимается массовым производством своих чипов флэш-памяти V-NAND 9-го поколения с 286 слоями, представленных в апреле этого года. По данным Korean Economic Daily, компания планирует выпустить чипы памяти V-NAND с не менее чем 400 уложенными слоями к 2026 году. В 2013 году
Читать дальше →
Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке первой в отрасли 24-гигабитной (Гб) памяти GDDR7 DRAM. Помимо самой высокой в отрасли емкости, GDDR7 отличается самой высокой скоростью, позиционируя себя как оптимальное решение для приложений
Читать дальше →
Компания Apacer с радостью представит свои новейшие достижения в области безопасности данных, надежности и целостности для игровых систем казино на выставке Global Gaming Expo в выставочном зале, которая пройдет с 8 по 10 октября 2024 года. Приглашаем вас посетить наш стенд 5221, чтобы ознакомиться
Читать дальше →
Новая конструкция слота оперативной памяти NitroPath от Asus, которая появилась на некоторых материнских платах Asus X870E и Z890, увеличивает скорость оперативной памяти до 400 МТ/с, сокращая вредные электрические помехи от пустых слотов оперативной памяти. Der8auer, завсегдатай в сфере
Читать дальше →
Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для производства логических микросхем, DRAM ICs необходимо использовать EUV-литографию, поскольку транзисторы становятся меньше. В настоящее время Samsung и SK hynix используют EUV для нескольких слоев, что является дорогостоящим. Чтобы
Читать дальше →
NEO Semiconductor, фокусирующаяся на флэш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, анонсировала технологию чипа 3D X-AI для замены HBM, которые в настоящее время используются в ускорителях AI GPU. Эта 3D DRAM имеет встроенную обработку AI, которая позволяет ей обрабатывать и генерировать выходные данные, не
Читать дальше →
Компания V-COLOR Technology Inc. рада объявить о расширении своей линейки продуктов выпуском DDR5 MANTA DDR5 XFinity Filler Kit. Этот мощный комбо обеспечивает скорость от 5600 до 7200 МГц. Комплект SSC 2+2 демонстрирует приверженность V-COLOR инновациям и качеству, что подчеркивается
Читать дальше →
Imec, ведущий мировой исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, представляет узорчатые структуры, полученные после экспонирования с помощью EUV-сканера 0,55NA в совместной лаборатории литографии ASML-imec High NA EUV в Вельдховене, Нидерланды. Структуры
Читать дальше →
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X емкостью 12 нанометров (Нм) емкостью 12 ГБ и 16 ГБ, укрепляя свое лидерство в сегменте низкочастотной памяти. Рынок Power
Читать дальше →
В этом году отрасли DRAM и NAND флэш-памяти могут достичь огромного дохода. В журнале Storage Newsletter сообщается, что в этом году ожидается увеличение доходов от флэш-памяти DRAM и NAND на колоссальные 75% и 77% соответственно. Основная привлекательность — это высокодоходные продукты, спрос на
Читать дальше →
Компания Samsung Electronics Co. прилагает много усилий для обеспечения своего участия в разработке технологии памяти нового поколения CXL (Compute Express Link). На брифинге для СМИ в четверг Чансок Чхве, вице-президент новой команды бизнес-планирования Samsung, объявил о планах к концу этого года
Читать дальше →
Поскольку спрос на вычислительные мощности искусственного интеллекта и центры обработки данных продолжает расти, растет и потребность в некоторых ключевых компьютерных компонентах, включая память. По данным исследовательской компании Trend Force, этот серьезный рост спроса на серверы и увеличение
Читать дальше →
В отличие от конкурентов, Micron не спешила использовать EUV-литографию для изготовления DRAM, поэтому все чипы памяти компании, выпускаемые сегодня в крупносерийном производстве, производятся с использованием техпроцессов, основанных исключительно на DUV-литографии. Но Micron не может избежать
Читать дальше →
Профсоюз рабочих Samsung в Южной Корее проведёт однодневную забастовку. Это будет первая подобная акция в истории компании. Однако она не повлияет на производство чипов памяти DRAM и NAND, так как до объявления о забастовке спотовые цены на эти элементы снижались. Профсоюз Samsung
Читать дальше →
Производитель памяти Micron Technology планирует построить новый завод DRAM в Хиросиме, Япония. Новый завод будет оснащен оборудованием для литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV), что позволит производить самые передовые продукты памяти Micron. Компания планирует начать работу в
Читать дальше →
Samsung прилагает все усилия для разработки 3D DRAM, будущего компактной оперативной памяти, согласно ее презентации на IMW 2024. VCT (транзистор с вертикальным каналом) DRAM — первая гора, которая покорила эту цель, и Samsung планирует завершить ее первоначальную разработку. в следующем году, а
Читать дальше →
По данным TrendForce, после четырёх месяцев роста цены на микросхемы памяти DDR4 стабилизировались. Но этому положению может угрожать ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 и DDR5. В этом квартале
Читать дальше →
Компания Samsung Electronics назначила директором полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна. Он участвовал в разработке DRAM и NAND и руководил бизнесом по выпуску аккумуляторов. Новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменил Кюн Ки Хёна, который теперь будет управлять
Читать дальше →
Роберт Хит Деннард, пионер в области электротехники и вычислительной техники, который изобрел DRAM , скончался 23 апреля 2024 года. Это изобретение помогло создать миллиарды смартфонов, компьютеров и другой бытовой электроники. Его также будут помнить за теорию
Читать дальше →
Компания SK Hynix , один из крупнейших производителей чипов памяти, собирается вложить 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству DRAM-памяти в Южной Корее, сообщает Reuters. Завод будет выпускать микросхемы памяти класса HBM. www.reuters.com Один из основных
Читать дальше →
