Samsung обрисовывает планы по выпуску 3D DRAM, которая появится во второй половине десятилетия
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Первое в мире гибридное устройство CXL сочетает в себе флэш-память и оперативную памятьНовое ПО от Phison повышает эффективность памяти для обучения ИИSamsung разрабатывает первую в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм со скоростью до 7,2 Гбит/сМировые цены на DRAM снизятся до 18% в декабре и достигнут дна к первому кварталу 2023 года
Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия
Читайте также:Капитализация SK hynix превысила $100 млрд из-за интереса к ИИNaver отказывается от Nvidia в пользу чипов Samsung на 752 млн долларовНовые видеокарты с памятью GDDR7 появятся к концу 2024 годаПодписка на петабайтные твердотельные накопители от SamsungSK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с
3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия
Читайте также:Продажи VR-шлемов вырастут в 10 раз к концу десятилетияПродажи VR-шлема Vive могут помочь HTC оправиться от убытковВ ближайшие четыре года рынок 3D принтеров увеличится в три разаДля работы VR шлема DeePoon М2 не нужен компьютерOSSIC X: новый вид наушников с 3D звуком
Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT), начиная с технологического процесса первого поколения менее 10 нм — если слайд, продемонстрированный Samsung на Memcom, отражает реальную дорожную карту компании. Слайд был опубликован издательством SemiEngineering и переиздан Фредом Ченом, исследователем технологий.
Транзистор с вертикальным каналом может представлять собой тип FinFET, в котором проводящий канал обернут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус устройства. VCT также может представлять собой транзистор с круговым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. Судя по изображению со слайда, мы имеем дело с техпроцессом DRAM на основе FinFET.
До процесса производства DRAM первого поколения менее 10 нм осталось два поколения, поскольку последним узлом производства DRAM от Samsung является технология 10-нм (12 нм) пятого поколения, представленная в середине 2023 года. Судя по слайду, Samsung готовит еще два производственных узла 10-нм класса, а узел 1-го поколения с суб10-нм должен появиться во второй половине десятилетия.
Обычно внедрение 3D-транзисторов для DRAM связано с созданием конструкции ячеек 4F^2, которая считается одной из наиболее эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Tokyo Electron, ведущий производитель инструментов для производства пластин, ожидает, что DRAM с VCT и дизайном ячеек 4F^2 начнут появляться в 2027–2028 годах. Компания считает, что для того, чтобы добиться успеха на основе VCT, производителям памяти придется использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных линий.
Интересно, что Samsung планирует внедрить многослойную технологию DRAM где-то в начале 2030-х годов, что позволит компании ощутимо увеличить плотность своих устройств памяти примерно через 10 лет. На данный момент мы можем только гадать, какие плотности мы будем видеть в следующем десятилетии, хотя вполне вероятно, что предстоит иметь дело с технологиями DRAM следующего поколения (например, DDR6).
0 комментариев