Samsung разрабатывает первую в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм со скоростью до 7,2 Гбит/с

Компания Samsung объявила о разработке 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM следующего поколения, способной обеспечить скорость передачи данных до 7,2 Гбит/с.

Пресс-релиз: Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке своей 16-гигабитной (Гбит) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием первого в отрасли техпроцесса класса 12 нанометров (нм), а также о завершении оценки продукта на совместимость с AMD.

«Наша 12-нанометровая память DRAM станет ключевым фактором, способствующим широкому внедрению DDR5 DRAM на рынке, — сказал Джуён Ли, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics. «Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности наша новая память DRAM послужит основой для более устойчивых операций в таких областях, как вычисления следующего поколения, центры обработки данных и системы на основе ИИ».

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы раздвинуть границы технологий, — сказал Джо Макри, старший вице-президент, корпоративный научный сотрудник и технический директор по работе с клиентами, вычислениям и графике в AMD. «Мы очень рады снова сотрудничать с Samsung, особенно в части выпуска продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen».

— Samsung

Этот технологический скачок стал возможен благодаря использованию нового материала, который увеличивает емкость элемента, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей критические характеристики схемы. В сочетании с усовершенствованной многослойной литографией в крайнем ультрафиолете (EUV) новая память DRAM отличается самой высокой в ​​отрасли плотностью кристаллов, что позволяет увеличить производительность пластин на 20 процентов.

Используя новейший стандарт DDR5, DRAM класса 12 нм от Samsung поможет разблокировать скорость до 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Это позволяет обрабатывать два фильма UHD размером 30 гигабайт (ГБ) всего за одну секунду.

Исключительная скорость новой памяти DRAM сочетается с большей энергоэффективностью. Потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая память DRAM, 12-нанометровая память класса DRAM станет идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, стремящихся к более экологичной работе.

Поскольку массовое производство должно начаться в 2023 году, Samsung планирует расширить свою линейку DRAM, созданную на основе этого передового 12-нанометрового техпроцесса, на широкий спектр сегментов рынка.