Спецификация GDDR7 SGRAM поддерживает максимальную скорость передачи данных 48 ГТ/с, но первое поколение устройств памяти GDDR7 может работать со скоростью передачи данных до 32 ГТ/с. Но похоже, что GDDR7 будет развиваться довольно быстро, поскольку на предстоящей Международной конференции по
Читать дальше →
Компания SK hynix объявила о массовом производстве первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND. Согласно пресс-релизу, компания начнет поставлять клиентам 321-слойную флэш-память NAND емкостью 1 ТБ, начиная с первой половины 2025 года. 321-слойная флэш-память High NAND от SK hynix создана на
Читать дальше →
Бывшая сотрудница SK hynix была приговорена к 18 месяцам тюрьмы и штрафу в размере 20 миллионов вон (14 300 долларов США) за кражу критически важной полупроводниковой технологии перед переходом в Huawei, сообщает Korea Biz Wire. Суд признал ее виновной в нарушении законов Южной Кореи о защите
Читать дальше →
SK hynix анонсировала первый в отрасли 48 ГБ 16-высотный HBM3E на саммите SK AI в Сеуле сегодня. Во время мероприятия появились новости о новых планах по разработке технологии памяти следующего поколения. Reuters и ZDNet Korea сообщили, что генеральный директор NVIDIA Дженсен Хуанг попросил SK hynix
Читать дальше →
Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг в своей программной речи под названием «Новое путешествие в память ИИ следующего поколения: за пределами оборудования в повседневную жизнь» на саммите SK AI в Сеуле публично рассказал о разработке первой в отрасли 48 ГБ 16-слойной памяти — самого большого
Читать дальше →
Tesla ведет переговоры с SK hynix о покупке SSD корпоративного класса на сумму около 725 миллионов долларов для своих суперкомпьютеров с искусственным интеллектом на базе процессоров Dojo в масштабе пластин, сообщает Korea Economic Daily. Если переговоры увенчаются успехом, это может стать одним из
Читать дальше →
SK hynix только что пережила один из лучших финансовых кварталов в своей истории, зафиксировав ошеломляющий рост выручки на 94% по сравнению с прошлым годом. SK hynix связывает это с постоянно растущим спросом на память на рынке ИИ, поскольку она опережает своих конкурентов с разработкой своих
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила о том, что зафиксировала выручку в размере 17,5731 трлн вон, операционную прибыль в размере 7,03 трлн вон (при операционной марже 40%) и чистую прибыль в размере 5,7534 трлн вон (при чистой марже 33%) в третьем квартале этого года. Квартальная выручка достигла
Читать дальше →
Ведущие производители микросхем памяти Samsung Electronics и SK hynix , как сообщается, меняют свои стратегии, чтобы сосредоточиться на таких высокоценных технологиях, как High Bandwidth Memory 4 (HBM4) и Compute Express Link (CXL). Этот шаг обусловлен растущей конкуренцией на рынке памяти, где
Читать дальше →
SK hynix представляет свои ведущие продукты для искусственного интеллекта и памяти для центров обработки данных на глобальном саммите Open Compute Project (OCP) 2024, который пройдет с 15 по 17 октября в Сан-Хосе, Калифорния. Ежегодный саммит объединяет лидеров отрасли для обсуждения достижений в
Читать дальше →
Компания SK hynix начала массовое производство своих 12-Hi HBM3E-стэков памяти, опередив своих конкурентов. Новые модули имеют емкость 36 ГБ и закладывают основу для процессоров AI и HPC следующего поколения, таких как AMD Instinct MI325X, который должен выйти в четвертом квартале, и Nvidia
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила о начале массового производства первого в мире 12-слойного продукта HBM3E емкостью 36 ГБ, что является самой большой емкостью среди существующих на сегодняшний день HBM. Компания планирует поставлять серийно выпускаемые продукты клиентам в течение года, в
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила, что основные функции ее комплекта средств разработки программного обеспечения для гетерогенной памяти (HMSDK) теперь доступны на Linux, крупнейшей в мире операционной системе с открытым исходным кодом. HMSDK — это фирменное программное обеспечение SK hynix
Читать дальше →
Будучи лидером в мире полупроводников с точки зрения технологий и доходов, Intel ожидает, что ее доход в третьем квартале составит от $12,5 млрд до $13,5 млрд, в первую очередь из-за низкой производительности ее центра обработки данных и подразделения ИИ (DCAI). Теперь это будет ниже доходов TSMC и
Читать дальше →
Компания SK hynix представила усовершенствованную карту Accelerator-in-Memory Based Accelerator (AiMX) на конференции AI Hardware & Edge AI Summit 2024, которая прошла с 9 по 12 сентября в Сан-Хосе, Калифорния. Ежегодно организуемый Kisaco Research, саммит объединяет представителей экосистемы ИИ
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила о разработке PEB110 E1.S (PEB110), высокопроизводительного твердотельного накопителя (SSD) для центров обработки данных. С наступлением эры искусственного интеллекта растет спрос клиентов на высокопроизводительные решения NAND, такие как SSD для центров
Читать дальше →
Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для производства логических микросхем, DRAM ICs необходимо использовать EUV-литографию, поскольку транзисторы становятся меньше. В настоящее время Samsung и SK hynix используют EUV для нескольких слоев, что является дорогостоящим. Чтобы
Читать дальше →
SK hynix подписала меморандум о взаимопонимании с Министерством торговли США, чтобы обеспечить прямое финансирование в размере до 450 миллионов долларов США и доступ к кредитам в размере 500 миллионов долларов США в соответствии с Законом о CHIPS и Science для строительства своего современного
Читать дальше →
SK hynix Inc. объявила сегодня, что подписала необязывающий предварительный меморандум об условиях с Министерством торговли США о получении до 450 миллионов долларов США в виде предлагаемого прямого финансирования и доступа к предлагаемым кредитам в размере 500 миллионов долларов США в рамках Закона
Читать дальше →
Сообщается, что SK hynix разрабатывает 400-слойную флэш-память NAND и планирует начать массовое производство к концу 2025 года. Компания сотрудничает с партнерами по цепочке поставок для разработки необходимых технологических процессов и оборудования для чипов NAND с 400 слоями и выше. Эта
Читать дальше →
