SK hynix планирует начать производство 400-слойной памяти NAND в 2025 году

2 августа 2024, 18:03 / Технологии → Новости / Технологии

Сообщается, что SK hynix разрабатывает 400-слойную флэш-память NAND и планирует начать массовое производство к концу 2025 года. Компания сотрудничает с партнерами по цепочке поставок для разработки необходимых технологических процессов и оборудования для чипов NAND с 400 слоями и выше. Эта информация взята из недавней статьи корейского СМИ etnews со ссылкой на отраслевые источники.

Для достижения этой цели SK hynix намерена использовать технологию гибридного склеивания, что, как ожидается, позволит привлечь новых поставщиков упаковочных материалов и компонентов в цепочку поставок. Процесс разработки включает изучение новых связующих материалов и различных технологий соединения различных пластин, включая полировку, травление, осаждение и проводку. SK hynix планирует подготовить технологии и инфраструктуру к концу следующего года.

Эта тенденция увеличения количества слоев чипов NAND не уникальна для SK hynix; другие производители полупроводников продвигаются в том же направлении:

Samsung недавно начала массовое производство 290-слойной памяти V-NAND и планирует увеличить число слоев до 1000 к 2030 году.
В июле Micron выпустила продукт с использованием 276-слойной памяти 3D NAND.
Kioxia достигла 218 слоев в 2023 году и предполагает, что к 2027 году возможно создание 1000 слоев.

Для сравнения, в августе 2023 года SK hynix продемонстрировала образец NAND с 321 слоем. Чтобы достичь 400 слоев, компания планирует реализовать гибридное соединение со структурой «пластина-пластина» (W2W). Этот подход отличается от существующего метода «Периферийное устройство под ячейкой» (PUC), в котором ячейки располагаются поверх области периферийной схемы управления.

Переход к гибридному соединению направлен на решение проблем, связанных с увеличением количества слоев, таких как потенциальное повреждение периферийных устройств во время процесса укладки ячеек из-за высокой температуры и давления. Производя элементы и периферийные устройства на отдельных пластинах перед их соединением, SK Hynix

Thumbnail: Hynix SK hynix Inc. (кор. 하이닉스, рус. Хайникс) — южнокорейская компания, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND. SK hynix является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятёрку ведущих производителей оперативной памяти. Википедия

надеется обеспечить стабильное увеличение слоев, одновременно защищая периферийные компоненты.

На вопрос etnews о разработке 400-слойной NAND компания SK Hynix отказалась подтвердить конкретные детали, касающиеся разработки технологии или сроков массового производства.

Источник: etnews