SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производить

16 августа 2024, 21:23 / Технологии → Новости / Технологии

Как и в случае с технологическими процессами, используемыми для производства логических микросхем, DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

ICs необходимо использовать EUV-литографию, поскольку транзисторы становятся меньше. В настоящее время Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

и SK hynix

Thumbnail: Hynix SK hynix Inc. (кор. 하이닉스, рус. Хайникс) — южнокорейская компания, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND. SK hynix является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятёрку ведущих производителей оперативной памяти. Википедия

используют EUV для нескольких слоев, что является дорогостоящим. Чтобы сделать EUV значительно дешевле, производителям DRAM придется принять трехмерные транзисторы и новые структуры DRAM, сказал исследователь из SK hynix на отраслевой конференции, сообщает The Elec.

Производители DRAM постоянно стремятся сделать ячейки памяти как можно меньше, а ИС — как можно меньше, чтобы быть более конкурентоспособными. Для этого они обычно внедряют новые технологические процессы и, примерно раз в десять лет, внедряют новые структуры ячеек DRAM. Например, в современных DRAM используется конструкция ячеек 6F^2 (6F2), которая уже более десятилетия использует трехмерные транзисторы FinFET; в DRAM используются простые транзисторы, в основном потому, что каждый новый узел процесса вводит новые способы уменьшения ячеек DRAM, а это все, что нужно производителям памяти.

Но сохранение ячеек 6F^2 и простых транзисторов с EUV не кажется таким плодотворным, как когда-то считалось, по словам исследователя SK hynix Со Чжэ Ука, который выступил на отраслевом мероприятии. Он говорит, что с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) или 3D

3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия

DRAM «процесс может быть разработан так, чтобы снизить стоимость процессов EUV вдвое».

Тем временем The Elec сообщает, что SK hynix готовится объединить VCT и конструкцию ячеек 4F^2 (4F2) для создания сверхплотной DRAM (возможно, рискованный, но амбициозный шаг). Однако производитель памяти публично не подтвердил такие планы. Поэтому, когда SK hynix начнет более широко использовать EUV несколько лет спустя, у нее будет опыт как с VCT (например, FinFET или даже gate-all-around транзисторы), так и со структурами ячеек 4F^2. Последняя обещает снизить плотность DRAM на 30% по сравнению с 6F^2 в том же узле.

Производитель технологического оборудования Tokyo Electron ожидает, что DRAM, использующие транзисторы с вертикальным каналом (VCT) и конструкцию ячеек 4F^2, начнут появляться примерно в 2027–2028 годах. Компания также ожидает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придется использовать новые материалы для конденсаторов и битовых линий.

Сообщается, что SK hynix и Samsung намерены применить конструкцию ячеек 4F^2 с их суб-10-нм технологическими процессами, хотя подробности скудны. Процесс производства DRAM первого поколения суб-10 нм от Samsung все еще находится на расстоянии двух поколений. В настоящее время самым передовым узлом производства DRAM от Samsung является его технология 5-го поколения 10 нм-класса (12 нм), которую компания начала использовать в середине 2023 года. Согласно слайду, просочившемуся в начале этого года, Samsung планирует разработать еще два процесса производства класса 10 нм, прежде чем представить суб-10-нм узел первого поколения, который, как ожидается, дебютирует во второй половине десятилетия.

Помимо использования EUV, конструкции ячеек 4F^2 и транзисторов VCT, Samsung планирует внедрить технологию стекированной DRAM-технологии в начале 2030-х годов, что еще больше увеличит плотность ее устройств памяти в течение следующего десятилетия.

Источник: Tomshardware.com