Samsung и SK hynix расскажут о GDDR7 со скоростью передачи данных до 42,5 ГТ/с
GDDR7 SDRAM (Graphics Double Data Rate 7 Synchronous Dynamic Random-Access Memory) — тип памяти графической карты (SGRAM), указанный в стандарте памяти JEDEC с высокой пропускной способностью, интерфейсом с "двойной скоростью передачи данных", предназначенным для использования в видеокартах, игровых консолях и высокопроизводительных вычислениях. Это тип GDDR SDRAM (графическая DDR SDRAM), преемник GDDR6(X/W). Википедия
Читайте также:Samsung представил 24-гигабайтную память GDDR7Samsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 ГбайтNVIDIA настраивает память GeForce RTX 5080 GDDR7 до 32 Гбит/с, RTX 5070 представлена на выставке CESВарианты RTX 5080 получат 24 ГБ и 16 ГБ VRAMГрафический процессор NVIDIA RTX 5060 «Blackwell» с 8 ГБ памяти GDDR7
Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия
Читайте также:Перестановки в полупроводниковом подразделении SamsungAMD получила патент на стеклянную подложкуСообщается, что Samsung готовит 500-герцовый 27-дюймовый игровой OLED-мониторSamsung представил разработки в области ИИ и автотехнологийВыход годных изделий Samsung GAA 3 нм — 20%
Samsung планирует описать свое устройство памяти GDDR7 24 Гб (3 ГБ) с различными усовершенствованиями, которые могут поддерживать скорость передачи данных до 42,5 ГТ/с, что означает пиковую пропускную способность до 170 ГБ/с. Это устройство должно предложить ощутимые улучшения в емкости и производительности по сравнению с существующими продуктами GDDR7. В настоящее время компания производит чипы памяти GDDR7 16 Гб (2 ГБ), которые могут работать со скоростью до 32 ГТ/с, тем самым обеспечивая пиковую пропускную способность памяти 128 ГБ/с.
На практике чип памяти GDDR7 объемом 24 Гбит со скоростью передачи данных 42,5 ГТ/с может позволить производителям графических плат создавать видеокарты с 48 ГБ памяти на 512-битном интерфейсе и колоссальной пиковой пропускной способностью 2,7 ТБ/с.
Чтобы достичь такой высокой скорости передачи данных для своих будущих устройств GDDR7 SGRAM емкостью 24 Гбит с предсказуемым энергопотреблением и надежностью, Samsung пришлось реализовать такие функции, как распределение тактовой частоты записи с низким энергопотреблением (WCK) для энергоэффективности, оптимизированный по сопротивлению/емкости двухканальный передатчик для высокой целостности сигнала, а также усовершенствованные улучшения запаса по напряжению и времени для максимальной надежности и стабильности производительности при высоких нагрузках.
В отличие от Samsung, который подробно описывает свой чип GDDR7 24 Гбит, SK hynix планирует сосредоточиться на своем однотактном приемнике PAM-3 с возможностью 42 ГТ/с для интерфейсов памяти GDDR7. Ключевой особенностью приемника является его однотактная гибридная эквализация с обратной связью (DFE), которая гарантирует, что сигналы, проходящие через интерфейс памяти, сохранят свою целостность даже при наличии высоких уровней шума, перекрестных помех и межсимвольных помех (ISI), которые ожидаются при 42 ГТ/с.
Этот несимметричный гибридный DFE на самом деле является ключевой функцией, необходимой для надежного достижения высоких скоростей передачи данных, поэтому давайте обсудим его более подробно.
Эквалайзеры с прямой связью (FFE) обычно помогают уменьшить искажения сигнала, вызванные межсимвольной интерференцией, которая возникает, когда прошлые переданные символы мешают текущему символу. Хотя FFE эффективен для устранения линейной ISI (вызванной частотно-зависимыми потерями), он менее эффективен для нелинейной ISI (вызванной отражениями, шумом или перекрестными помехами). Нелинейная ISI часто требует дополнительных методов, таких как DFE. Эквалайзеры с обратной связью по решению (DFE) используют обратную связь от ранее декодированных битов (решений) для устранения помех от ранее декодированных сигналов.
Теперь гибридный DFE объединяет FFE и DFE для устранения как линейных, так и нелинейных межсимвольных помех, тем самым обеспечивая надлежащую целостность сигнала и предсказуемую производительность при высоких скоростях передачи данных.
Ни Samsung, ни SK hynix не объявили, когда они планируют сделать память GDDR7 со скоростью передачи данных до 42 ГТ/с. Тем не менее, тот факт, что обе компании планируют обсудить это на предстоящем мероприятии ISSCC, свидетельствует о том, что у них есть видение достижения этого уровня производительности в обозримом будущем.
Источник: Tomshardware.com
0 комментариев