SK hynix объявляет о выпуске 321-слойной флэш-памяти NAND

Компания SK hynix объявила о массовом производстве первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND. Согласно пресс-релизу, компания начнет поставлять клиентам 321-слойную флэш-память NAND емкостью 1 ТБ, начиная с первой половины 2025 года.

321-слойная флэш-память High NAND от SK hynix создана на основе технологии, которую компания называет процессом «3 plugs». Эта технология, как утверждается, известна своей превосходной эффективностью производства и «...электрически соединяет три plugs с помощью оптимизированного последующего процесса после завершения трех процессов plugs». «Для этого процесса SK hynix разработала материал с низким уровнем напряжения, одновременно внедрив технологию, которая автоматически корректирует выравнивание среди plugs».

SK hynix также использует ту же платформу разработки для своего 321-слойного NAND, что и его предыдущее поколение 238-слойной флэш-памяти, что дает предполагаемое улучшение на 59% в производстве 321 слоя. Переход на 321 слой предположительно повысил скорость передачи данных на 12% и производительность чтения на 13% по сравнению с предыдущим поколением. Эффективность энергопотребления также была увеличена более чем на 10%.

321-слойная флэш-память NAND в настоящее время является самой многослойной флэш-памятью в отрасли. Samsung пока ближе всех к этому, с ее 280-слойной флэш-памятью NAND, но она активно работает над 300-слойной и даже 400-слойной флэш-памятью, чтобы конкурировать с SK hynix. Micron, YMTC и Kioxia отстают больше всего, имея 232-слойную и 218-слойную архитектуры на момент написания статьи.

Следующее поколение 300-слойной флэш-памяти NAND от Samsung, как утверждается, будет производиться иначе, чем SK hynix. Она будет использовать технологию «двойного стека», которая подразумевает размещение одного стека 3D NAND на 300-миллиметровой пластине и создание другого стека флэш-памяти поверх первого. Решение SK hynix, как утверждается, более эффективно и подразумевает использование трех слоев.