SK Hynix начинает массовое производство 12-слойной памяти HBM3E

26 сентября 2024, 05:51 / Технологии → Новости / Технологии

Компания SK hynix Inc. сегодня объявила о начале массового производства первого в мире 12-слойного продукта HBM3E

емкостью 36 ГБ, что является самой большой емкостью среди существующих на сегодняшний день HBM. Компания планирует поставлять серийно выпускаемые продукты клиентам в течение года, в очередной раз доказав свою превосходную технологию спустя шесть месяцев после поставки клиентам 8-слойного продукта HBM3E впервые в отрасли в марте этого года.

SK hynix — единственная компания в мире, которая разработала и поставляет всю линейку HBM от первого поколения (HBM1) до пятого поколения (HBM3E) с момента выпуска первой в мире HBM в 2013 году. Компания планирует сохранить лидерство на рынке памяти ИИ

Thumbnail: Искусственный интеллект Иску́сственный интелле́кт (ИИ; англ. artificial intelligence, AI) — свойство искусственных интеллектуальных систем выполнять творческие функции, которые традиционно считаются прерогативой человека (не следует путать с искусственным сознанием); наука и технология создания интеллектуальных машин, особенно интеллектуальных компьютерных программ. Искусственный интеллект связан со сходной задачей использования компьютеров для понимания человеческого интеллекта, но не обязательно ограничивается биологически правдоподобными методами. Существующие на сегодня интеллектуальные системы имеют довольно узкие области применения. Википедия

, удовлетворяя растущие потребности компаний ИИ, став первой в отрасли компанией, которая начала массовое производство 12-слойной памяти HBM3E.

По данным компании, 12-слойный продукт HBM3E соответствует самым высоким мировым стандартам во всех областях, которые важны для памяти ИИ, включая скорость, емкость и стабильность. SK hynix увеличила скорость операций с памятью до 9,6 Гбит/с, самой высокой скорости памяти, доступной на сегодняшний день. Если Llama 3 70B, модель большого языка (LLM), управляется одним графическим процессором, оснащенным четырьмя продуктами HBM3E, она может считывать 70 миллиардов общих параметров 35 раз в течение секунды.

SK hynix увеличила емкость на 50%, уложив 12 слоев 3 ГБ чипов DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

той же толщины, что и предыдущий восьмислойный продукт. Чтобы добиться этого, компания сделала каждый чип DRAM на 40% тоньше, чем раньше, и уложила их вертикально с помощью технологии TSV.

Компания также решила структурные проблемы, возникающие при укладке более тонких чипов выше, применив свою основную технологию — процесс Advanced MR-MUF. Это позволяет обеспечить на 10% более высокую производительность рассеивания тепла по сравнению с предыдущим поколением, а также обеспечить стабильность и надежность продукта за счет улучшенного контроля коробления.

«SK hynix снова преодолела технологические ограничения, продемонстрировав свое лидерство в отрасли памяти ИИ», — сказал Джастин Ким, президент (руководитель AI Infra) в SK hynix. «Мы продолжим занимать позицию № 1 в мире поставщика памяти ИИ, поскольку мы неуклонно готовим продукты памяти следующего поколения для преодоления трудностей эпохи ИИ».

Источник: Techpowerup.com