Цены на память и SSD растут: Samsung и другие производители повышают стоимость чипов

/ Новости / Технологии
Цены на память и SSD растут: Samsung и другие производители повышают стоимость чипов Kuai Technology («快科技») сообщает, что Samsung Electronics достигла соглашения с ключевыми клиентами о повышении цен на оперативную память (DRAM) и другие типы накопителей.По данным источников, SK Hynix уже подняла стоимость DRAM на 12%. Samsung планирует увеличить цены на 3-5% для своих основных
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +1

Biwin представит новые SSD и модули памяти на Computex 2025

/ Новости / Технологии
Biwin представит новые SSD и модули памяти на Computex 2025 Компания Biwin, мировой лидер в области решений для хранения данных, примет участие в выставке Computex 2025, которая пройдет с 20 по 23 мая в выставочном центре Taipei Nangang. На стенде J1028 в зале 1 будут представлены новейшие продукты компании, устанавливающие новые стандарты скорости,
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Essencore и KLEVV представят новейшие продукты на Computex Taipei 2025

/ Новости / Технологии
Essencore и KLEVV представят новейшие продукты на Computex Taipei 2025 Компания Essencore, ведущий производитель решений для памяти и хранения данных, вместе со своим брендом KLEVV объявила об участии в выставке COMPUTEX Taipei 2025, которая пройдет с 20 по 23 мая в выставочном центре Taipei Nangang.НОВЫЕ ИГРОВЫЕ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ DDR5KLEVV представит
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

NEO Semiconductor представила революционную 3D X-DRAM технологию на базе IGZO

/ Новости / Технологии
NEO Semiconductor представила революционную 3D X-DRAM технологию на базе IGZO Компания NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий для 3D NAND и 3D DRAM, объявила о прорывном достижении в своей линейке 3D X-DRAM — первых в отрасли ячейках памяти 1T1C и 3T0C на базе IGZO. Эта технология обещает беспрецедентную плотность, энергоэффективность и
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +4

Китайские ученые создали самую быструю в мире флеш-память

/ Новости / Технологии
Китайские ученые создали самую быструю в мире флеш-память Исследователи из Университета Фудань (Китай) совершили прорыв в области технологий памяти, разработав флеш-устройство «PoX» с рекордной скоростью работы. Устройство демонстрирует время чтения/записи всего 400 пикосекунд (менее 1 наносекунды), что эквивалентно примерно 2,5 млрд операций в секунду.
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +4

Китай приобретает оборудование для производства HBM3E через корейские компании

/ Новости / Технологии
Китай приобретает оборудование для производства HBM3E через корейские компании Китай продолжает развивать собственные технологии в области полупроводников, стремясь к самообеспечению. Как сообщает Money Today Korea, китайская компания JCET Group, специализирующаяся на упаковке полупроводников, приобрела передовые термокомпрессионные бондеры, предназначенные для работы с
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +3

Samsung ведет переговоры с крупными игроками о поставках памяти HBM4

/ Новости / Технологии
Samsung ведет переговоры с крупными игроками о поставках памяти HBM4 В 2025 году большинство новостей о высокоскоростной памяти (HBM) касались продуктов SK hynix и Micron. Однако Samsung Electronics в своих финансовых отчетах за первый квартал упомянула о работе над «улучшенными продуктами HBM3E». В конце апреля конкурент Samsung представил революционное решение
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +11