Imec разрабатывает новую буферную память CXL, которая может превзойти плотность бит DRAM
3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия
Читайте также:Кооперативный Rogue-Lite Hyper Light Breaker выйдет 15 января 2025 года с 3D Solar Ash AestheticsTencent разрабатывает портативный компьютер Tencent 3D OneКитайская компания YMTC наращивает производство 3D NANDIntel планирует скопировать технологию 3D V-cache от AMD в 2025 году, но не для настольных компьютеровIntel пока не планирует внедрять технологию 3D V-Cache в потребительские процессоры
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Kioxia разрабатывает технологию OCTRAM (оксидно-полупроводниковый канальный транзистор DRAM)NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычисленийSamsung: планы на 2026–2027 ггSamsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 ГбайтApacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложений
Недавнее внедрение интерфейса памяти compute express link (CXL) предоставляет возможности для новых видов памяти дополнять DRAM в приложениях с интенсивными вычислениями, таких как ИИ и МО. Одним из примеров является буферная память CXL типа 3, задуманная как пул памяти вне кристалла, который «питает» различные ядра процессора большими блоками данных через коммутатор CXL с высокой пропускной способностью. Этот класс памяти соответствует другим спецификациям, чем DRAM с байтовой адресацией, которая все больше борется за поддержание линии масштабирования тенденции стоимости за бит.
На выставке IEDM 2024 компания imec предлагает прибор с зарядовой связью (ПЗС) с каналом IGZO, интегрированным в архитектуру строки 3D NAND-Flash, в качестве перспективного кандидата для буферной памяти CXL типа 3 — для достижения требуемых характеристик блочной адресуемости, неограниченного срока службы, низкой стоимости изготовления и достаточного хранения данных.
В качестве первого шага к реальным реализациям imec продемонстрировала работу памяти ПЗС с IGZO на 2D-проверке концепции. Планарная структура ПЗС этой 2D-проверки концепции состоит из входного каскада, 142 каскадов (каждый из которых состоит из четырех фазовых вентилей), каждый из которых может хранить один бит, и двухтранзисторного считывающего каскада. Регистр ПЗС записывается путем инжекции зарядов через входной каскад и последовательной передачи их через все 142 каскада путем переключения напряжений фазовых вентилей. ПЗС обеспечивает сохранение более 200 с, выносливость >1010 циклов без ухудшения и скорость передачи заряда, превышающую 6 МГц. Также была продемонстрирована многоуровневая возможность хранения регистра ПЗС, что способствует более высокой плотности битов. Будучи широко принятой на рынке датчиков изображения, технология ПЗС на основе заряда хорошо известна, надежна и может работать при низких напряжениях, что выгодно для энергопотребления.
Маартен Росмейлен, директор программы Storage Memory в imec: «Настоящая ценность предлагаемой буферной памяти заключается в ее возможности интеграции в 3D NAND-мод с регистрами CCD на основе IGZO, интегрированными в вертикально выровненные разъемы — концепция, которую мы предлагаем впервые. Исходя из того, что возможно с NAND Flash сегодня (т. е. способность обрабатывать 230 слоев), мы оцениваем, что наша 3D буферная память уже может обеспечить в пять раз большую плотность битов, чем то, что (2D) DRAM, как ожидается, предложит в 2030 году. В настоящее время мы изучаем реальные 3D-реализации с ограниченным количеством строк слов».
Источник: imec
0 комментариев