Главный учёный Yangtze Memory: технология 3D NAND в Китае прошла путь от отставания до лидерства

На церемонии вручения дипломов выпускникам Пекинского университета в 2025 году главный учёный компании Yangtze Memory (YMTC) и выпускник вуза Хо Цзунлян выступил с речью, в которой рассказал о прорыве Китая в области производства 3D NAND-памяти.

«Мы должны не бояться «сидеть на холодной скамье», не гнаться за быстрой прибылью и упорно трудиться на пути самостоятельных разработок», — подчеркнул Хо Цзунлян.

По его словам, за последнее десятилетие команде Yangtze Memory удалось совершить качественный скачок — от полного отсутствия технологий 3D NAND до выхода на передовые позиции в этой сфере.

Компания Yangtze Memory, основанная в 2016 году в Ухане, стала первым китайским производителем, освоившим выпуск 3D NAND. Уже в 2017 году был создан первый чип, а в 2019-м началось массовое производство памяти второго поколения с фирменной архитектурой Xtacking.

В 2020 году YMTC представила третье поколение чипов TLC/QLC, где модель X2-6070 установила рекорды по скорости ввода-вывода, плотности хранения и ёмкости на один чип.