Samsung получила одобрение на массовое производство DRAM шестого поколения

Samsung Electronics достигла важного технологического рубежа, получив одобрение на готовность к массовому производству DRAM шестого поколения. Как сообщает Korea Herald, компания получила внутреннее разрешение на запуск серийного выпуска, что означает завершение разработки передового 10-нанометрового процесса (известного как 1c DRAM). Ранее сообщалось, что Samsung удалось достичь уровня выхода годных чипов в 50-70% при тестировании технологии 1c DRAM, что соответствует плановому графику компании с интервалом около двух лет между поколениями продукции.

Это достижение особенно важно для стратегии Samsung в области памяти высокой пропускной способности (HBM), так как компания планирует начать массовое производство HBM4 во второй половине этого года с использованием новой технологии DRAM шестого поколения. В мае Samsung объявила о внедрении гибридной технологии соединения для будущих модулей HBM4. Это решение направлено на снижение теплового сопротивления и создание сверхшироких интерфейсов памяти, что отвечает растущим требованиям к пропускной способности и эффективности в сфере искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.

Конкурент Samsung, компания SK hynix, которая в настоящее время доминирует на рынке HBM, разрабатывает HBM4 на основе DRAM пятого поколения и уже в марте начала поставлять образцы HBM4 ключевым клиентам, планируя начать массовое производство также во второй половине года. Однако Samsung предстоит пройти важные этапы квалификации — компания должна предоставить образцы HBM4 и успешно завершить тестирование NVIDIA для получения крупных контрактов на поставки. Кроме того, Samsung продолжает ожидать одобрения своей 12-слойной памяти HBM3E, которую она поставляет AMD, и ведет переговоры о контрактах с NVIDIA.

Источник: Korea Herald