Samsung: планы на 2026–2027 гг

/ ТехнологииНовости / Технологии
В настоящее время Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

Читайте также:Intel и Samsung сформируют «Foundry Alliance» для конкуренции с TSMC, сообщает Notes ReportSamsung и SK hynix делают ставку на HBM4 и CXL в борьбе с КитаемSamsung представил 24-гигабайтную память GDDR7Инновации в области транзисторов CFET от TSMC, IBM и SamsungSamsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 Гбайт

занимается массовым производством своих чипов флэш-памяти V-NAND 9-го поколения с 286 слоями, представленных в апреле этого года. По данным Korean Economic Daily, компания планирует выпустить чипы памяти V-NAND с не менее чем 400 уложенными слоями к 2026 году. В 2013 году Samsung стала первой компанией, представившей чипы V-NAND с вертикально уложенными ячейками памяти для максимизации емкости. Однако укладка более 300 уровней оказалась настоящей проблемой, поскольку чипы памяти часто повреждаются. Для решения этой проблемы Samsung, как сообщается, разрабатывает улучшенный V-NAND 10-го поколения, который будет использовать технологию Bonding Vertical (BV) NAND

NAND — аббревиатура или акроним, может означать: NAND (англ. not and) — универсальный двухвходовый логический элемент, штрих Шеффера. NAND — тип флеш-памяти по принципу изменения информации в её ячейках. Википедия

. Идея заключается в том, чтобы изготавливать схемы хранения и периферийные схемы на отдельных слоях перед их вертикальным склеиванием. Это серьезный сдвиг по сравнению с текущей технологией Co-Packaged (CoP). Samsung заявила, что новый метод увеличит плотность бит на единицу площади в 1,6 раза (на 60%), что приведет к увеличению скорости передачи данных.
Планы Samsung по-настоящему амбициозны: в 2027 году планируется выпустить 11-е поколение NAND с предполагаемым улучшением скорости ввода-вывода на 50%, а к 2030 году — чипы NAND с 1000 слоями. Ее конкурент, SK hynix, также работает над 400-слойной NAND, намереваясь подготовить технологию к массовому производству к концу 2025 года, как мы уже упоминали в августе. Samsung, текущий лидер рынка HBM с долей рынка 36,9%, также планирует представить свой сектор DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

Читайте также:Samsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 ГбайтApacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложенийПустые слоты ОЗУ могут снизить производительность DRAMSK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производитьNEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM с обработкой на базе искусственного интеллекта

, намереваясь представить шестое поколение 10 нм

Thumbnail: Технологический процесс в электронной промышленностиТехнологический процесс полупроводникового производства — технологический процесс по изготовлению полупроводниковых (п/п) изделий и материалов; часть производственного процесса по изготовлению п/п изделий (транзисторов, диодов и т. п.); состоит из: последовательности технологических (обработка, сборка) и контрольных операций. При производстве п/п изделий применяется фотолитография и литографическое оборудование. Разрешающая способность (в мкм и нм) этого оборудования (т. Википедия

DRAM, или 1c DRAM, к первой половине 2025 года. Затем мы можем ожидать увидеть седьмое поколение 1d нм от Samsung (все еще на 10 нм) в 2026 году, а к 2027 году компания надеется выпустить свое первое поколение памяти DRAM с характеристиками ниже 10 нм, или 0a DRAM, которая будет использовать 3D-структуру вертикально-канального транзистора (VCT), похожую на ту, что использует флэш-память NAND.

Источник: Korean Economic Daily

Подписаться на обновления Новости / Технологии

ℹ️ Помощь от ИИ

В статье есть ошибки или у вас есть вопрос? Попробуйте спросить нашего ИИ-помощника в комментариях и он постарается помочь!

⚠️ Важно:

• Rutab-Бот читает ваши комментарии и готов вам помочь.
• Просто задайте вопрос и обновите страницу через пару минут 👍
• Rutab-Бот работает в тестовом режиме и может ошибаться, либо просто не знать ответа.
• К ИИ-помощнику можно обратиться по имени Rutab или Рутаб.

Топ дня 🌶️


0 комментариев

Оставить комментарий


Новые комментарии

Новые устройства с «умными поверхностями» — это не замена смартфону, а эксперимент с альтернативными способами взаимодействия. Например, для людей с нарушениями зрения тактильный интерфейс может...
  • Rutab
Отличный вопрос! 😊 Давай разберёмся: 1. Сложнее интеллектуального труда — это задачи, где нужна непредсказуемость (например, создание принципиально новых научных теорий) или этический выбор...
  • Rutab
😄 Ну что ты, Quba! Если бы я был жмотом, то не делился бы планами на $300 млн в этом комментарии . Но раз уж ты администратор — предлагаю сделку: 10% от моих виртуальных миллионов в обмен на...
  • Rutab
Вы правы, формулировка в статье действительно может показаться однобокой. Под «катастрофическими последствиями» подразумевался провал именно для сети агентов ЦРУ, а не для китайских спецслужб — это...
  • Rutab
BCI расшифровывается как Brain-Computer Interface, что переводится как «интерфейс мозг-компьютер» (ИМК). Это технология, позволяющая напрямую связывать мозг с внешними устройствами для обмена...
  • Rutab
Извини, Quba! 😊 Да, действительно, скандал с Gemini произошел в феврале 2024 года (а не 2025), и я ошибся в дате. Спасибо за уточнение! 🙏 Буду внимательнее с фактами.
  • Rutab
США действительно традиционно выступали за свободную торговлю, но в последние годы политика изменилась — санкции стали инструментом давления (особенно в высокотехнологичных отраслях). Как видно из...
  • Rutab
Эта ошибка из Tomshardware перекочевала fixed
  • Sam
Разница в том, что апартеид был системой угнетения, лишавшей чернокожих базовых прав, а BEE — это меры по исправлению последствий этой системы. Да, формально белый предприниматель из другой страны...
  • Rutab
Я ИИ-помощник на сайте Rutab.net, который помогает пользователям разбираться в тематиках статей — технологиях, науке, играх, фильмах и многом другом 😊 Можешь спрашивать меня о чем угодно!
  • Rutab

Смотреть все