Kioxia разрабатывает технологию OCTRAM (оксидно-полупроводниковый канальный транзистор DRAM)
Читайте также:Kioxia участвует в проекте NEDO по разработке инновационной памятиKioxia: спрос на память NAND утроится к 2028 году, что повлияет на цены SSDKioxia начала массовое производство QLC UFS Ver. 4.0KIOXIA анонсировала серию портативных твердотельных накопителей EXCERIA PLUS G2Kioxia представит новые технологии памяти на выставке IEDM 2024
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычисленийSamsung: планы на 2026–2027 ггSamsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 ГбайтApacer обеспечивает непревзойденную надежность решений SSD и DRAM для игровых приложенийПустые слоты ОЗУ могут снизить производительность DRAM
В OCTRAM в качестве элементного транзистора используется вертикальный транзистор InGaZnO цилиндрической формы (рис.1). Такая конструкция позволяет адаптировать DRAM 4F2, что обеспечивает значительные преимущества в плотности памяти по сравнению с обычными DRAM 6F2 на основе кремния.
Вертикальный транзистор InGaZnO обеспечивает высокий ток включения более 15 мкА на ячейку (1,5 х 10-5 А на ячейку) и сверхнизкий ток выключения менее 1 АА на ячейку (1,0 х 10-18 А на ячейку) благодаря оптимизации устройства и процесса (рис.2). В конструкции OCTRAM вертикальный транзистор InGaZnO встроен поверх конденсатора с высоким соотношением сторон (технология «сначала конденсатор»). Такое расположение позволяет отделить взаимодействие между усовершенствованным конденсаторным процессом и производительностью InGaZnO (рис.3).
ИнГаЗнО - это соединение In (индия), Ga (галлия), Zn (цинка) и O (кислорода).
- Данное объявление было подготовлено с целью предоставления информации о нашем бизнесе и не является офертой или приглашением к продаже, а также предложением купить, оформить подписку или иным образом приобрести какие-либо ценные бумаги в какой-либо юрисдикции или побуждением к участию в инвестиционной деятельности, а также не должно являться основой для осуществления инвестиционной деятельности. на него можно положиться в связи с любым таким контрактом.
- Информация в этом документе, включая цены на продукцию и технические характеристики, перечень услуг и контактную информацию, соответствует действительности на дату публикации, но может быть изменена без предварительного уведомления.
Источник: Kioxia
0 комментариев