Kioxia разрабатывает технологию OCTRAM (оксидно-полупроводниковый канальный транзистор DRAM)

10 декабря 2024, 14:23 / Технологии → Новости / Технологии

Корпорация Kioxia

, мировой лидер в области решений для оперативной памяти, сегодня объявила о разработке OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

), нового типа DRAM 4F2, состоящего из оксидно-полупроводникового транзистора, который имеет высокий ток включения и сверхнизкий ток выключения одновременно. Ожидается, что эта технология позволит использовать DRAM с низким энергопотреблением за счет использования транзистора InGaZnO со сверхнизким уровнем утечки. Впервые об этом было объявлено на Международной конференции IEEE по электронным устройствам (IEDM), которая состоялась в Сан-Франциско, Калифорния, 9 декабря 2024 года. Это достижение было разработано совместно Nanya Technology и Kioxia Corporation. Эта технология обладает потенциалом снижения энергопотребления в широком спектре приложений, включая системы искусственного интеллекта и связи после 5G, а также продукты Интернета вещей.

В OCTRAM в качестве элементного транзистора используется вертикальный транзистор InGaZnO цилиндрической формы (рис.1). Такая конструкция позволяет адаптировать DRAM 4F2, что обеспечивает значительные преимущества в плотности памяти по сравнению с обычными DRAM 6F2 на основе кремния.

Вертикальный транзистор InGaZnO обеспечивает высокий ток включения более 15 мкА на ячейку (1,5 х 10-5 А на ячейку) и сверхнизкий ток выключения менее 1 АА на ячейку (1,0 х 10-18 А на ячейку) благодаря оптимизации устройства и процесса (рис.2). В конструкции OCTRAM вертикальный транзистор InGaZnO встроен поверх конденсатора с высоким соотношением сторон (технология «сначала конденсатор»). Такое расположение позволяет отделить взаимодействие между усовершенствованным конденсаторным процессом и производительностью InGaZnO (рис.3).

ИнГаЗнО - это соединение In (индия), Ga (галлия), Zn (цинка) и O (кислорода).

Данное объявление было подготовлено с целью предоставления информации о нашем бизнесе и не является офертой или приглашением к продаже, а также предложением купить, оформить подписку или иным образом приобрести какие-либо ценные бумаги в какой-либо юрисдикции или побуждением к участию в инвестиционной деятельности, а также не должно являться основой для осуществления инвестиционной деятельности. на него можно положиться в связи с любым таким контрактом.
Информация в этом документе, включая цены на продукцию и технические характеристики, перечень услуг и контактную информацию, соответствует действительности на дату публикации, но может быть изменена без предварительного уведомления.

Источник: Kioxia