Micron расширит производство памяти HBM3E по всему миру, чтобы увеличить долю рынка HBM

19 июня 2024, 17:57 / Технологии → Новости / Технологии

Ранее Micron

Micron Technology — американская транснациональная корпорация, известная своей полупроводниковой продукцией, основную часть которой составляют чипы памяти DRAM и NAND, флеш-память, SSD-накопители, а также датчики КМОП. Продукция для потребительского рынка продается под торговой маркой Crucial Technology и малая часть продукции выходит под маркой Micron. Википедия

объявила о планах увеличить свою долю на рынке памяти с высокой пропускной способностью (HBM) с «средних однозначных цифр» сегодня до середины 20% (т.е. ~25%) примерно через год. Однако компания не поделилась подробностями о том, как она будет наращивать мощности по производству БМД. Nikkei теперь пролил некоторый свет на потенциальные планы и сообщил, что Micron расширит производственные мощности на Тайване, увеличит свои научно-исследовательские операции в США и даже подумывает о создании HBM3E

в Малайзии. Это строго неофициальная информация, поэтому относитесь к ней с недоверием.

HBM — это тип DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

, но он использует другие устройства памяти, чем обычные модули памяти. Кристаллы HBM DRAM имеют большую емкость и более широкий интерфейс, что немного усложняет их производство. После производства каждое устройство должно быть протестировано индивидуально, чтобы убедиться, что оно соответствует целевым показателям качества, производительности и мощности. Каждый модуль HBM укладывает восемь или двенадцать заведомо исправных кристаллов HBM друг на друга, соединяет их с помощью сквозных кремниевых переходов и помещает стек на базовый логический кристалл. Чтобы увеличить выпуск HBM3E, Micron необходимо увеличить производство устройств HBM DRAM (что может быть достигнуто за счет производства меньшего количества обычных DRAM), обеспечить достаточные мощности для тестирования HBM DRAM, а также возможности стекирования и TSV.

Крупнейшая производственная площадка Micron HBM находится в Тайчжуне, Тайвань

Thumbnail: Китайская Республика (Тайвань) Кита́йская Респу́блика, в международном контексте именует себя либо Кита́йская Респу́блика (Тайва́нь), либо просто Тайва́нь (по названию острова, составляющего бо́льшую часть контролируемой республикой территории) — частично признанное государство в Восточной Азии, ранее имевшее однопартийную систему, широкое дипломатическое признание и контроль над всем Китаем. Являлась одним из основателей ООН и постоянным членом её Совета Безопасности. После поражения правившего в стране Гоминьдана от Коммунистической партии в гражданской войне 1945—1950 годов под управлением Китайской Республики остались только Тайвань и ряд малых островов. Она стала постепенно терять международное признание, а в 1971 году её место в ООН было передано Китайской Народной Республике. Википедия

, где компания производит кристаллы DRAM, тестирует их, а затем собирает стеки HBM3E. Согласно отчету источника, в настоящее время компания увеличивает мощности для своих операций на Тайване, в котором не уточняется, какие именно мощности добавляются. Это, безусловно, обнадеживает (особенно для Nvidia), хотя поставки памяти Micron HBM3E распроданы на протяжении большей части 2025 года.

Кроме того, Micron рассматривает возможность создания производственных мощностей HBM в Малайзии, где уже проводит тестирование и сборку микросхем памяти, сообщает Nikkei. Micron вряд ли будет производить настоящие кристаллы DRAM в Малайзии, поскольку на создание и оснащение завода по производству памяти уходят годы. Но тестирование кристаллов HBM3E и, возможно, даже сборка HBM3E в Малайзии вполне возможны. И снова Micron вынуждена это подтвердить сама.

Наконец, как сообщается, Micron также создает дополнительные испытательные производственные линии для передовых чипов HBM в своей штаб-квартире в Бойсе, штат Айдахо, и расширяет научно-исследовательские центры в США, возможно, для подготовки к выпуску памяти HBM4 следующего поколения в конце 2025–2026 годов.