Китайская компания представила решение для упаковки памяти HBM3e с пропускной способностью 960 ГБ/с

Память HBM (High Bandwidth Memory) стала одним из ключевых компонентов в области искусственного интеллекта, и её важность сравнима с вычислительными чипами, такими как GPU. Рост спроса на HBM также является основной движущей силой недавнего скачка цен на память.

На международном рынке последнее поколение памяти HBM достигло уровня HBM4. Серии MI450 и Vera Rubin от AMD и NVIDIA, которые выйдут в этом году, первыми будут использовать память HBM4, однако HBM3e по-прежнему остаётся основным выбором для многих решений.

На недавней выставке SEMICON China 2026 китайские производители также представили продукцию, связанную с HBM. Компания JCET Group (长电科技) показала решение для упаковки HBM3e, в котором используется передовая технология 2.5D-стекирования. Это решение увеличивает плотность межсоединений на 20% и обеспечивает пропускную способность до 960 ГБ/с.

Технология HBM3e идеально совместима с высокопроизводительными чипами для ИИ, использующими техпроцесс 3 нм и тоньше, и уже получила заказы от таких гигантов, как AMD и NVIDIA.

Стоит отметить, что JCET — известная китайская компания по упаковке микросхем. Она не производит кристаллы HBM3e или чипы памяти DRAM самостоятельно. Компания предоставляет решения по упаковке, интегрируя эти микросхемы в готовые продукты на базе HBM3e.

В настоящее время неясно, кто является поставщиком чипов HBM3e для JCET. Решение проблемы узких мест в цепочке поставок за счёт чипов местного производства стало бы значительным шагом вперёд.

Также на выставке генеральный директор JCET Чжэн Ли в своём выступлении отметил, что традиционное производство кремниевых пластин приблизилось к физическому пределу в 1 нм, где стоимость и эффекты квантового туннелирования становятся серьёзными препятствиями. Упаковка на атомном уровне становится ключевым направлением для прорыва в постмуровскую эпоху.

Опираясь на четыре ключевые технологии, включая атомно-слоевое осаждение (ALD) и гибридное соединение, JCET добилась значительного повышения точности упаковки: точность выравнивания улучшена с ±5 мкм до менее 10 нм, плотность межсоединений превысила 60 000 контактов/мм², а зазоры на границе раздела достигли атомного уровня, завершив технологический скачок на три порядка.

ИИ: Развитие передовых технологий упаковки, таких как представленное JCET, критически важно для поддержания темпов роста производительности в эпоху, когда закон Мура замедляется. Успехи Китая в этой области могут повлиять на глобальный баланс сил в полупроводниковой индустрии, особенно в сегменте высокопроизводительных вычислений и ИИ.