Китайские производители чипов усилят конкуренцию: цены на память и SSD упадут в следующем году

/ Новости / Технологии
Китайские производители чипов усилят конкуренцию: цены на память и SSD упадут в следующем году В последние два года глобальные цены на чипы памяти — как DRAM, так и NAND — неуклонно росли. В последние месяцы особенно заметно подорожала память DDR4, которая в некоторых случаях стала даже дороже DDR5. Плохая новость заключается в том, что в третьем и четвертом кварталах 2025 года цены
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

UltraRAM готова к массовому производству: память с феноменальной долговечностью и скоростью DRAM

/ Новости / Технологии
UltraRAM готова к массовому производству: память с феноменальной долговечностью и скоростью DRAM Технология UltraRAM, которая обещает скорость, сравнимую с оперативной памятью DRAM, долговечность в 4000 раз выше, чем у NAND-флеш, и сохранность данных до тысячи лет, достигла важной вехи на пути к коммерциализации. Компания Quinas Technology, стоящая за разработкой UltraRAM, в течение
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Ученые создали 120-слойную структуру Si/SiGe для памяти нового поколения

/ Новости / Наука
Ученые создали 120-слойную структуру Si/SiGe для памяти нового поколения Исследователи из imec и Гентского университета совершили прорыв в создании трехмерной DRAM-памяти, вырастив 120 чередующихся слоев кремния (Si) и кремний-германия (SiGe) на 300-миллиметровой пластине. Этот процесс, описанный в Journal of Applied Physics, можно сравнить со строительством небоскреба
Читать дальше →

Музыкальные особенности влияют на воспоминания, которые вызывают песни

/ Новости / Наука
Музыкальные особенности влияют на воспоминания, которые вызывают песни Новое исследование показало, что высокоэнергичные и менее акустические композиции вызывают личные воспоминания, связанные с весельем и волнением, тогда как спокойные и более акустические песни пробуждают воспоминания, характеризующиеся умиротворением, романтикой и грустью. Эти выводы представили
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +1

Samsung возрождает Z-NAND с прицелом на 15-кратный прирост производительности

/ Новости / Технологии
Samsung возрождает Z-NAND с прицелом на 15-кратный прирост производительности Samsung возвращает к жизни свою технологию памяти Z-NAND, ставя амбициозные цели по производительности. По данным DigiTimes, компания планирует добиться до 15-кратного увеличения скорости работы в новом поколении Z-NAND, а также внедрить технологию прямого доступа GPU к накопителям на базе этой
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Цены на DDR4 выросли вдвое, но ситуацию могут изменить китайские производители

/ Новости / Технологии
Цены на DDR4 выросли вдвое, но ситуацию могут изменить китайские производители В последнее время цены на память DDR4 резко выросли, что изменило рыночную ситуацию. Согласно данным DRAMeXchange, к концу июля 2025 года стоимость 8Gb DDR4 достигла 3.9 доллара (около 312 рублей), что на 50% выше, чем в конце июня.Уже в июне цены на DDR4 подскочили более чем в два раза, и впервые
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

KIOXIA LC9 Series 245,76 ТБ: SSD с инновационной 32-слойной памятью получил награду Best of Show на FMS

/ Новости / Технологии
KIOXIA LC9 Series 245,76 ТБ: SSD с инновационной 32-слойной памятью получил награду Best of Show на FMS Компания Kioxia Corporation объявила, что её SSD-накопитель KIOXIA LC9 Series объёмом 245,76 ТБ, использующий 32-слойную память KIOXIA BiCS FLASH поколения 8 QLC 3D, получил награду FMS Best of Show в категории «SSD-технологии». Эти награды присуждаются передовым продуктам, сервисам и решениям,
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

NEO Semiconductor представила революционную архитектуру памяти X-HBM для чипов ИИ

/ Новости / Технологии
NEO Semiconductor представила революционную архитектуру памяти X-HBM для чипов ИИ Компания NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий памяти, анонсировала первую в мире архитектуру Extreme High Bandwidth Memory (X-HBM), предназначенную для чипов искусственного интеллекта. Новое решение создано для удовлетворения растущих потребностей генеративного ИИ и
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Цены на DDR4-память резко выросли и впервые превысили стоимость DDR5 в два раза

/ Новости / Технологии
Цены на DDR4-память резко выросли и впервые превысили стоимость DDR5 в два раза В мире потребительской электроники произошло необычное событие: цены на оперативную память DDR4 не только резко выросли, но и впервые превысили стоимость более современной DDR5.Согласно отчетам, стоимость DDR4 за последний месяц удвоилась из-за опасений дефицита, связанных с планами производителей
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Исследование: обвиняемые и потерпевшие в делах о сексуальном насилии одинаково подвержены искажениям памяти

/ Новости / Наука
Исследование: обвиняемые и потерпевшие в делах о сексуальном насилии одинаково подвержены искажениям памяти Новое исследование показывает, что как обвиняемые, так и потерпевшие в делах о сексуальном насилии в равной степени подвержены искажениям памяти. Работа бросает вызов давним представлениям о том, как следует интерпретировать ошибки памяти в зале суда.Во многих судебных процессах единственными
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Раджа Кодури присоединился к Sandisk для разработки революционной технологии HBF-памяти с 4 ТБ VRAM

/ Новости / Технологии
Раджа Кодури присоединился к Sandisk для разработки революционной технологии HBF-памяти с 4 ТБ VRAM Раджа Кодури, известный графический архитектор, ранее работавший в S3, Apple, AMD и Intel, продолжает продвигать свою концепцию высокоскоростной памяти для вычислений. На этот раз его внимание привлекла технология HBF (High-Bandwidth Flash) от компании Sandisk. В среду Кодури объявил о своём
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +1

Китайская CXMT отложила массовое производство DDR5 до конца 2025 года

/ Новости / Технологии
Китайская CXMT отложила массовое производство DDR5 до конца 2025 года Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) перенесла массовое производство чипов DDR5 на конец 2025 года, чтобы улучшить их качество, сообщает Digitimes. Однако, по данным издания, качество DDR5 от CXMT уже сопоставимо с продукцией тайваньской Nanya. Улучшение качества, рост выхода
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

DDR6 выйдет в 2027 году со скоростью 8800-17600 MT/s

/ Новости / Технологии
DDR6 выйдет в 2027 году со скоростью 8800-17600 MT/s Полупроводниковая промышленность официально ускорила разработку памяти следующего поколения — стандарт DDR6 появится уже скоро. Хотя энтузиасты смогут приобрести такие модули только в 2027 году, ключевые игроки рынка — Samsung, Micron и SK Hynix — уже вышли за рамки прототипов и приступили к
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +1

Новый материал Ni₄W может ускорить компьютерную память и снизить энергопотребление

/ Новости / Технологии
Новый материал Ni₄W может ускорить компьютерную память и снизить энергопотребление Исследователи из Университета Миннесоты представили прорывной материал, который может сделать компьютерную память быстрее и энергоэффективнее. Результаты работы опубликованы в журнале Advanced Materials, а технология уже запатентована.С ростом технологий увеличивается и спрос на инновационные
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Крошечная молекула мозга может стать ключом к лечению болезни Альцгеймера

/ Новости / Наука
Крошечная молекула мозга может стать ключом к лечению болезни Альцгеймера Учёные обнаружили, как ключевой белок помогает поддерживать прочные связи между клетками мозга, которые критически важны для обучения и памяти.Результаты исследования, опубликованные в журнале Science Advances, могут указать путь к новым методам лечения черепно-мозговых травм и заболеваний,
Читать дальше →

Китайская компания Unigroup Guoxin представила собственные чипы PSRAM с максимальным объёмом 16MB по цене от 25 юаней

/ Новости / Технологии
Китайская компания Unigroup Guoxin представила собственные чипы PSRAM с максимальным объёмом 16MB по цене от 25 юаней Китайская компания Unigroup Guoxin (紫光国芯) официально представила собственные чипы памяти PSRAM, которые уже поступили в продажу.PSRAM (псевдостатическая оперативная память с низким энергопотреблением) — это новое решение для встраиваемых систем, потребительской электроники, IoT-устройств, носимой
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • -1

Primemas представила первые образцы контроллера памяти CXL 3.0 на базе технологии чиплетов

/ Новости / Технологии
Primemas представила первые образцы контроллера памяти CXL 3.0 на базе технологии чиплетов Компания Primemas Inc., специализирующаяся на чиплетных SoC-решениях с использованием архитектуры Hublet, объявила о готовности первых клиентских образцов контроллера памяти Compute Express Link (CXL) 3.0. Ранее компания уже поставляла инженерные образцы и платы разработки избранным стратегическим
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +1

Marvell представила первую в отрасли 2-нм кастомную SRAM-память

/ Новости / Технологии
Marvell представила первую в отрасли 2-нм кастомную SRAM-память Компания Marvell Technology, лидер в области полупроводниковых решений для инфраструктуры данных, расширила свою платформу кастомных технологий, представив первую в отрасли 2-нм кастомную статическую память с произвольным доступом (SRAM). Эта разработка предназначена для повышения производительности
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +2

Micron стала первым поставщиком памяти SOCAMM для NVIDIA с энергоэффективностью на 20% выше, чем у Samsung

/ Новости / Технологии
Micron стала первым поставщиком памяти SOCAMM для NVIDIA с энергоэффективностью на 20% выше, чем у Samsung Компания NVIDIA выбрала Micron Technology в качестве первого поставщика новой памяти SOCAMM для своих будущих решений.SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) — это новый тип высокопроизводительной и энергоэффективной памяти, разработанный специально для серверов искусственного
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +11

Дорожная карта памяти HBM4-HBM8: до 64 ТБ/с и 240 ГБ на стек к 2038 году

/ Новости / Технологии
Дорожная карта памяти HBM4-HBM8: до 64 ТБ/с и 240 ГБ на стек к 2038 году На совместном брифинге на этой неделе лаборатория Memory Systems Laboratory KAIST и группа TERA Interconnection and Packaging представили перспективную дорожную карту развития стандартов памяти High Bandwidth Memory (HBM) и ускорителей, которые будут их использовать. Как сообщают Wccftech и
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0