SK Hynix анонсировала LPDDR6-14400: 16 Гбит, 14,4 Гбит/с

Южнокорейская компания SK Hynix (SK hynix) раскрыла спецификации своего нового модуля памяти LPDDR6.

Модуль производится по 1нм техпроцессу DRAM, имеет плотность 16 Гбит на чип и обеспечивает скорость передачи данных до 14,4 Гбит/с. Эта скорость достигает текущего верхнего предела стандарта JEDEC, что делает анонсированное решение самым быстрым среди публично заявленных продуктов LPDDR6.

Память позиционируется как универсальное решение, глубоко оптимизированное для сценариев искусственного интеллекта на устройствах (edge AI). По сравнению с предыдущим поколением заявлены значительные улучшения как в скорости обработки данных, так и в энергоэффективности.

Параллельно свой путь в сегменте LPDDR6 продолжает Samsung. Ранее компания представила версию на базе 12нм техпроцесса со скоростью 10,7 Гбит/с. Сейчас Samsung наращивает темпы, планируя выпуск модуля LPDDR6 ёмкостью 16 Гбит и скоростью 12,8 Гбит/с.

Из-за использования менее продвинутого техпроцесса чип от Samsung имеет несколько большую площадь, чем у SK Hynix. Компания продолжает оптимизацию, стремясь повысить скорость до 14 Гбит/с, что позволит ей практически сравняться с текущим уровнем SK Hynix.

ИИ: Гонка памяти для ИИ набирает обороты. Если SK Hynix удастся быстро наладить массовое производство по 1нм норме, это даст ей серьёзное преимущество. Однако Samsung обладает огромным опытом и ресурсами, так что битва за лидерство в сегменте высокоскоростной оперативной памяти только начинается.