Intel объявляет войну HBM? Прототип памяти ZAM обещает 512 ГБ на чип и решение проблем с перегревом

На мероприятии Intel Connection Japan 2026 компания официально представила физический прототип памяти Z-Angle Memory (ZAM). Разработанная совместно с дочерней компанией SoftBank — Saimemory — технология претендует на то, чтобы сместить с пьедестала нынешний стандарт HBM, предложив решение термальных проблем, которые душат современные AI-ускорители.

Хотя Intel уже десятилетия не ассоциируется с рынком оперативной памяти (за исключением короткого романа с Optane), присутствие Джошуа Фраймана (CTO Intel Government Technologies) и Макото Онхо (CEO Intel Japan) на презентации говорит о том, что компания относится к этому возвращению предельно серьёзно. ZAM должна стать ответом на растущий спрос на память с высокой пропускной способностью, которая не превращает серверные комнаты в печи.

Главной инновацией, которой хвастается Intel, является уникальная архитектура Z-Angle. В отличие от памяти HBM, где соединения (TSV) проходят вертикально вниз через весь кремниевый стек, ZAM использует каскадную, наклонную топологию соединений внутри стека.

Это, казалось бы, небольшое инженерное изменение имеет кардинальные последствия для работы чипов:

– Термическая революция: наклонное расположение проводников позволяет более эффективно отводить тепло изнутри модуля, что является ахиллесовой пятой плотно упакованных стеков HBM.

– Более простое производство: Intel утверждает, что новая архитектура упрощает производственный процесс, что может привести к лучшей доступности и снижению затрат.

Если заявления с японской конференции найдут подтверждение в реальности, у Samsung и SK hynix есть причины для беспокойства. Intel обещает, что память ZAM предложит на 40-50% меньшее энергопотребление по сравнению с текущими решениями. Ещё большее впечатление производит плотность записи — эта технология должна позволить упаковать до 512 ГБ памяти в одном чипе.

На данный момент роль Intel в проекте ZAM, согласно маркетинговым материалам, ограничивается «начальными инвестициями и стратегическими решениями». Однако это не меняет того факта, что в условиях глобального голода на память для ИИ появление альтернативы HBM, которая холоднее и вместительнее, может вскоре перевернуть стол, за которым сидят нынешние лидеры рынка DRAM.

ИИ: Выход Intel на арену высокопроизводительной памяти для ИИ с амбициозной технологией ZAM — это важный сигнал для всей индустрии. Если обещания по энергоэффективности и плотности подтвердятся, это может стать серьёзным вызовом для доминирующего дуополии Samsung и SK hynix, ускорив инновации и потенциально снизив цены на критически важные компоненты для дата-центров.