Samsung представляет V-NAND 10-го поколения: более 400 слоев, 5,6 ГТ/с и гибридное соединение

На Международной конференции по твердотельным схемам 2025 года компания Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

Читайте также:Samsung планирует к 2030 году создать 1000-слойную NAND-память, начав склеивание пластин с 400 слоевSamsung 9100 Pro SSD — самый быстрый накопительSamsung анонсирует SSD 9100 PRO PCIe 5.0Утечка данных о твердотельном накопителе Samsung 9100 ProIntel и Samsung выпустят новый ПК с ИИ

представила свою новую флэш-память V-NAND 10-го поколения с более чем 400 активными слоями и скоростью интерфейса 5,6 ГТ/с. Новый тип памяти не только может похвастаться рекордным количеством активных слоев и революционной производительностью (что позволит создать некоторые из лучших твердотельных накопителей), но и впервые использует архитектуру Samsung cell-on-peripheral (CoP) с гибридным соединением.
Устройство V-NAND 10-го поколения, представленное Samsung на ISSCC, представляет собой устройство 3D

3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия

Читайте также:Among Us выходит в 3D-формате — играть можно будет без шлема виртуальной реальностиФлэш-память 3D NAND 10-го поколения от Kioxia на 33% быстрее, чем микросхемы 8-го поколенияKioxia и Sandisk представили новую технологию 3D Flash-памятиПлазменная технология удваивает скорость травления для флэш-памяти 3D NANDYMTC начинает поставки 3D NAND 5-го поколения

TLC NAND с более чем 400 активными слоями, емкостью 1 ТБ на кристалл и скоростью интерфейса 5,6 ГТ/с. Поскольку новая микросхема памяти продолжает использовать трехуровневую конструкцию ячеек, она обеспечивает плотность 28 Гбит/мм^2, что немного ниже по сравнению с 1 ТБ 3D QLC V-NAND от Samsung, которая достигает 28,5 Гбит/мм^2. Однако плотность может не быть главной целью Samsung с этим конкретным продуктом, поскольку ключевыми инновациями, которые она представляет, являются рекордное количество активных слоев (более 400) и гибридная связанная периферийная схема.
Количество слоев NAND
Ячейка заголовка - Столбец 0 YMTC YMTC Микрон Samsung Samsung Киоксиа/Сандиск Киоксиа/Сандиск SK hynix
Поколение ? Xtacking 3.0/Gen 4 Ген 9 (G9) В9 В10 БиКС 8 БиКС 9 Ген 9
Слои 232-слойный 232-слойный 276-слойный 290-слойный (?) 4xx-слой 218-слойный 332-слойный 321-слойный
Плотность >20 Гб мм^2 19,8 Гб мм^2 21,0 Гб мм^2 17 Гб мм^2 28 Гб мм^2 22,9 Гб мм^2 (?) ? 20 мм^2
Архитектура ТСХ QLC ТСХ ТСХ ТСХ QLC ? ТСХ
Емкость штампа 1 Тб 1 Тб 1 Тб 1 Тб 1 Тб 2 Тб ? 1 Тб
Скорость ввода-вывода ? ? До 3600 МТ/с До 3200 МТ/с До 5600 МТ/с До 3600 МТ/с До 4800 МТ/с ?
В то время как Samsung, как и другие производители NAND, уже некоторое время размещает периферийные схемы под массивом памяти, с 10-м поколением V-NAND компания производит периферийные схемы (включая декодеры строк, усилители считывания, буферы, генераторы напряжения, ввод-вывод) на отдельной пластине, используя свою логическую технологию. Затем она прикрепляет их к пластине с помощью массива памяти 3D NAND. Другие ведущие производители памяти 3D NAND, включая Kioxia/Sandisk и YMTC

Thumbnail: Электронная промышленность КНРЭлектронная промышленность Китая — электронная промышленность в Китайской Народной Республике (КНР). Подавляющее большинство всех компонентов современной электроники (как радиодетали, так и компьютерные компоненты — материнские платы, видеокарты и тп. и периферия), как мобильной так и стационарной техники — производятся в Китае. Почти все именитые бренды (Apple, Dell, HP и пр.), кроме южнокорейских, — изготовляются (а зачастую и разрабатываются) в Китае. Википедия

Читайте также:YMTC начинает поставки 3D NAND 5-го поколенияYMTC 3D NAND: протестирована новая флэш-памятьНакопитель PCIe 5.0 с памятью YMTC NAND — 14,5 ГБ/сКитайская компания YMTC наращивает производство 3D NANDЛидер Китая по производству 3D NAND, компания YMTC, постепенно переходит на отечественные инструменты для производства чипов

, также производят массив 3D NAND и периферию на разных пластинах, а затем соединяют их вместе.

Такая архитектура позволила Samsung значительно увеличить скорость интерфейса своей памяти V-NAND 10-го поколения до 5,6 ГТ/с. При такой скорости одно устройство NAND может обеспечить пиковую скорость передачи данных 700 МБ/с. В более крупных конфигурациях десять из них могли бы полностью использовать интерфейс PCIe 4.0 x4, а двадцать — максимально использовать соединение PCIe 5.0 x4. Установка с 32 кристаллами в двух пакетах NAND приблизила бы производительность к пределам PCIe 6.0 x4.

Большинство пакетов NAND на SSD-накопителях построены с восемью или 16 кристаллами. Пакет, содержащий шестнадцать кристаллов, может хранить до 2 ТБ, что означает, что четыре в одностороннем SSD обеспечат емкость 8 ТБ. Двусторонний диск M.2 2280 может удвоить это до 16 терабайт. Однако Samsung не выпускала новые двусторонние SSD в последние годы, поскольку они несовместимы с подавляющим большинством ноутбуков.

Без сомнения, увеличенная пропускная способность и емкость 10-го поколения V-NAND от Samsung могут сыграть решающую роль в устройствах хранения данных следующего поколения, поскольку эти устройства позволяют Samsung создавать сверхвысокопроизводительные SSD и модули UFS с конкурентоспособной емкостью. Однако доступность таких продуктов на рынке будет зависеть от того, насколько быстро Samsung нарастит свою новейшую 3D TLC V-NAND. Тем не менее, Samsung пока не раскрыла, когда ее 10-е поколение V-NAND будет включено в ее собственную линейку SSD.

Источник: Tomshardware.com

Подписаться на обновления Новости / Технологии

0 комментариев

Оставить комментарий


Новые комментарии

Когда они в продаже появятся? Уже как бы конец февраля, а нигде нет..
  • Анон
Поддерживаю. А еще если брать в разрезе Илон Маск и безопасность данных, то вообще смешно. Особенно для жителей РФ)О конфиденциальности можно забыть
  • Анон
1c пох на ваши операции, количество ядер и прочее. Умудрились написать ядро четко привязанное к Мгц. Единственный в мире продукт для 1го ядра.
  • Анон
Указан неверный диаметр вентиляторов, не 80 мм, а 100 мм. И чип не 103, а 102.
  • Анон
С прошлым обновлением как раз и появилась эта ошибка. А новое как и написано не дают скачать.
  • Анон
При включении 3D Turbo Mode у вас максимум будет доступно 8 ядер и 8 потоков всего. т.е. если у вас 16 ядерный на 32 потока то будет всего 8 ядер и 8 потоков! Странная оптимизация!
  • Анон
После скачивания вышел синий экран СУПЕР!
  • Анон
требуется указать магазин и purchase date без этого не регистрирует
  • Анон
Россия на них клала❤❤❤❤, будет называться Ладушка 2.0 )))
  • Анон

Смотреть все