YMTC начинает поставки 3D NAND 5-го поколения

30 января 2025, 16:02 / Технологии → Новости / Технологии

Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC

Thumbnail: Электронная промышленность КНР Электронная промышленность Китая — электронная промышленность в Китайской Народной Республике (КНР). Подавляющее большинство всех компонентов современной электроники (как радиодетали, так и компьютерные компоненты — материнские платы, видеокарты и тп. и периферия), как мобильной так и стационарной техники — производятся в Китае. Почти все именитые бренды (Apple, Dell, HP и пр.), кроме южнокорейских, — изготовляются (а зачастую и разрабатываются) в Китае. Википедия

) тихо начала поставлять свою память 3D

3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия

NAND 5-го поколения с 294 слоями в общей сложности, а также 232 активными слоями, и аналитикам TechInsights удалось получить эти микросхемы для анализа, сообщает @Jukanlosreve. Как оказалось, YMTC успешно увеличила плотность битов до уровня своих отраслевых аналогов, а также достигла самой высокой плотности вертикальных затворов, несмотря на санкции против компании, введенные США. Однако есть несколько загвоздок.

Чип достигает замечательного общего числа слоев (или вентилей на вертикальную цепочку NAND) — 294 — что, по словам TechInsights, является самым высоким показателем для текущих коммерческих продуктов. Ожидается, что число активных слоев 5-го поколения 3D NAND от YMTC составит 232, как и в случае 4-го поколения 3D NAND этой же компании, которое имеет в общей сложности 253 слоя. Увеличение общего числа слоев может стать способом повышения производительности за счет увеличения избыточности или включения определенных функций.

Как и его предшественники, устройство 3D NAND использует укладку строк. Однако неясно, использует ли Yangtze Memory два массива по ~147 слоев или несколько массивов с меньшим количеством слоев. В любом случае, 294 слоя (включая активные и фиктивные слои) являются важной вехой для YMTC и всей отрасли флэш-памяти.

232 активных слоя — это не рекордное количество слоев для 3D NAND, но оно соответствует показателям конкурентов. Только 321-слойная 3D NAND 9-го поколения от SK hynix

Thumbnail: Hynix SK hynix Inc. (кор. 하이닉스, рус. Хайникс) — южнокорейская компания, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND. SK hynix является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятёрку ведущих производителей оперативной памяти. Википедия

имеет более 300 активных слоев в настоящее время, хотя ее поставки начнутся в первой половине этого года. Достижение 294 общих слоев (или затворов на вертикальную цепочку NAND) не только позиционирует YMTC как сильного конкурента на мировом рынке флэш-памяти NAND, но и сигнализирует о значительном прогрессе в полупроводниковой промышленности Китая на фоне серьезных санкций США.

По данным TechInsights, с точки зрения плотности битов устройство 3D TLC 5-го поколения от YMTC превосходит 20 Гб/мм², что, по-видимому, соответствует тому, что предлагает SK hynix G9 3D TLC NAND IC, и лишь немного ниже 22,9 Гб/мм², показанных устройством BiCS8 3D QLC NAND от Kioxia/Western Digital. Конкуренты YMTC еще не представили чипы 3D TLC NAND с уровнями плотности, аналогичными рыночным.

Количество слоев NAND
Ячейка заголовка - Столбец 0	Микрон	Samsung	WD/Kioxia	SK hynix	YMTC	YMTC
Поколение	Ген 6	В9	БиКС 8	Ген 9	?	Xtacking 3.0/Gen 4
Количество слоев	232-слойный	290-слойный (?)	218-слойный	321-слойный	232-слойный	232-слойный
Плотность на кв. мм	14,6 Гб мм^2	17 Гб мм^2	22,9 Гб мм^2 (?)	20 мм^2	>20 Гб мм^2	19,8 Гб мм^2
Архитектура	ТСХ	ТСХ	QLC	ТСХ	ТСХ	QLC
Емкость штампа	1 Тб	1 Тб	2 Тб	1 Тб	1Тб	1 Тб
Скорость интерфейса	До 2400 МТ/с	До 3200 МТ/с	До 3600 МТ/с	?	?	?
Next-Gen (дата выхода)	3xx (неизвестно)	3xx (неизвестно)	?	?	?	Xtacking 4.0 (?)

С устройствами 3D TLC NAND 5-го поколения с 232 слоями компания Yangtze Memory продолжает использовать технологию гибридного склеивания для соединения флэш-массива с логикой и интерфейсом CMOS, что позволяет компании максимизировать плотность хранения и производительность ввода-вывода для лучших твердотельных накопителей, которые обычно превосходят то, что предлагают конкуренты. Микросхемы 3D TLC NAND от YMTC используют архитектуру Xtacking 4.0.

232-слойная 3D NAND от YMTC с 294 затворами на строку NAND знаменует собой важную веху для компании в частности и для китайской индустрии памяти в целом. Примечательно, что Yangtze Memory официально не анонсировала свои устройства 3D TLC NAND 5-го поколения, а вместо этого тихо начала их массовые поставки. Этот шаг, возможно, был сделан, чтобы не привлекать внимание правительства США и не рисковать дальнейшими санкциями.

Источник: Tomshardware.com