Samsung начала поставки первых в мире образцов 12-слойной HBM4E с приростом производительности более 20%

Компания Samsung Electronics объявила о начале поставок первым глобальным клиентам первых в отрасли образцов 12-слойной памяти HBM4E объемом 48 ГБ. После завершения начальной поставки и оптимизации Samsung планирует начать массовое производство HBM4E в соответствии с графиком клиентов.

HBM (высокопроизводительная память) является ключевым компонентом для ускорителей ИИ, и ее пропускная способность и объем напрямую определяют эффективность обучения и вывода моделей ИИ. В настоящее время рынок HBM доминируется тремя гигантами: Samsung, SK Hynix и Micron, причем SK Hynix ранее имела значительное преимущество в сегментах HBM3 и HBM3E.

Samsung начала свой путь в сегменте HBM в 2015 году, и с тех пор ее продукция прошла через десять поколений. В феврале 2026 года Samsung первой в мире начала массовое производство HBM4.

По словам Samsung, 12-слойная HBM4E, являющаяся итеративным обновлением HBM4, использует технологию DRAM шестого поколения с техпроцессом 10 нм (1c) и 4-нм логическую подложку от литейного подразделения Samsung, что обеспечивает значительное улучшение производительности, емкости, энергоэффективности и отвода тепла. Память специально разработана для больших языковых моделей, генеративного ИИ и высокопроизводительных вычислений.

По сравнению с HBM4, HBM4E обеспечивает стабильную скорость передачи данных по контактам 14 Гбит/с с возможностью расширения до 16 Гбит/с для удовлетворения растущих потребностей в обработке данных. Общая производительность увеличена более чем на 20%, а пропускная способность памяти каждого стека достигает 3,6 ТБ/с, что помогает максимально повысить вычислительную производительность больших моделей и систем ИИ следующего поколения.

Что касается емкости, HBM4E предлагает 48 ГБ, что на 30% больше, чем у предыдущего поколения. Samsung также планирует расширить линейку продуктов в соответствии с потребностями клиентов, включив в нее конфигурации 32 ГБ (8 слоев) и 64 ГБ (16 слоев).

Кроме того, конструкция с низким энергопотреблением и оптимизация упаковки позволили повысить энергоэффективность на 16%, а тепловое сопротивление улучшилось более чем на 14%, что значительно повысило эффективность отвода тепла и помогает снизить энергопотребление центров обработки данных ИИ при высоких нагрузках.

В настоящее время на рынке HBM сложилась триада Samsung, SK Hynix и Micron, где каждый из игроков стремится опередить конкурентов.

Лидер рынка HBM, SK Hynix, начал массовое производство HBM4 в сентябре 2025 года. Компания планирует отправить образцы HBM4E во второй половине 2026 года и начать массовое производство в 2027 году. HBM4E будет использовать кристаллы DRAM на базе техпроцесса 1c нм, а базовый кристалл будет производиться TSMC по 3-нм техпроцессу.

Что касается Micron, компания успешно наращивает производственные мощности HBM4 и планирует начать массовое производство HBM4E в 2027 году. Сообщается, что HBM4E будет использовать технологию 1γ шестого поколения с техпроцессом 10 нм — это первый случай, когда Micron внедряет оборудование EUV-литографии в серийное производство. Базовый кристалл также будет изготавливаться по заказу TSMC.