Плазменная технология удваивает скорость травления для флэш-памяти 3D NAND

4 февраля 2025, 23:43 / Технологии → Новости / Технологии

Ученые сделали большой шаг вперед в технологии хранения данных, им удалось улучшить процесс производства флэш-памяти 3D

3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия

NAND. Этот тип технологии хранения данных укладывает ячейки памяти друг на друга, чтобы получить более высокую плотность данных. Группа экспертов из Lam Research

Thumbnail: Lam Research Lam Research — американская компания, поставляющая оборудование для производства полупроводниковых (интегральных) микросхем. Штаб-квартира компании располагается во Фримонте, штат Калифорния. Википедия

, Университета Колорадо в Боулдере и Лаборатории физики плазмы Принстона придумала лучший способ травления (процесс вырезания отверстий в чередующихся слоях оксида кремния и нитрида кремния) с использованием плазмы фтористого водорода. Этот новый метод прорезает вертикальные каналы через материалы на основе кремния в два раза быстрее, чем раньше, достигая 640 нанометров всего за одну минуту.

Команда обнаружила, что смешивание определенных химикатов, таких как трифторид фосфора, помогает процессу травления. Они также узнали, что некоторые побочные продукты могут замедлить травление, но добавление воды может помочь решить эту проблему. «Соль может разлагаться при более низкой температуре в присутствии воды, что может ускорить травление», — сказал Юрий Барсуков, бывший исследователь PPPL, ныне работающий в Lam Research. Этот прорыв важен, поскольку потребность в хранении данных получила огромный импульс с появлением программ ИИ, которым требуются тонны памяти.

«Криотравление с использованием плазмы фтористого водорода показало значительное увеличение скорости травления по сравнению с предыдущими процессами криотравления, в которых использовались отдельные источники фтора и водорода», — сказал Торстен Лилл из Lam Research.

«Большинство людей знакомы с флэш-памятью NAND, поскольку именно она используется в картах памяти для цифровых камер и флеш-накопителей. Она также используется в компьютерах и мобильных телефонах. Сделать этот тип памяти еще более плотным — чтобы больше данных можно было упаковать в ту же область — будет все более важным, поскольку наши потребности в хранении данных растут из-за использования искусственного интеллекта», — сказал Игорь Каганович, главный научный сотрудник физико-математической лаборатории PPPL.

Исследование опубликовано в журнале Journal of Vacuum Science & Technology A (2024).

Источник: Phys