Samsung планирует к 2030 году создать 1000-слойную NAND-память, начав склеивание пластин с 400 слоев

Samsung намерена создать 1000-слойную NAND к 2030 году, полагаясь на свою новую конструкцию NAND «multi-BV». Bell сообщает, что этот план включает в себя укладку четырех пластин для преодоления структурных ограничений. Технология склеивания пластин играет решающую роль в этом прогрессе, и Samsung намерена использовать ее для преодоления барьера в 1000 слоев. Технический директор подразделения Samsung Electronics DS Сон Чжэ Хёк отметил, что склеивание пластин позволяет раздельно производить периферийные и ячеечные пластины перед их объединением в один полупроводник. Bell говорит, что эта технология, скорее всего, впервые появится в 10-м поколении NAND от Samsung (V10), в то время как отраслевые эксперты считают, что одна пластина может содержать около 500 слоев NAND при реализации только ячеичных структур. В прошлом Samsung использовала технологию COP (Cell on Peripheral), метод, при котором периферийная схема размещается на одной пластине, а ячейки NAND укладываются сверху. Однако по мере роста слоев NAND нижние периферийные части подвергаются большему давлению, что может повлиять на надежность.