Samsung выпустит первые устройства HBM4 в этом году, а тестирование начнется в 2025 году: отчет

/ ТехнологииНовости / Технологии

Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

Читайте также:Samsung представила 3D-монитор Odyssey. Компания представляет новое поколение игрSamsung представляет игровой монитор Odyssey 3D без очков на Gamescom 2024Samsung может начать установку своего первого литографического станка High-NA EUV в конце 2024 годаSamsung выпускает флэш-накопители BAR Plus и FIT Plus USB Type-C емкостью 512 ГБSamsung Electronics начинает массовое производство самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X

собирается выпустить свои первые устройства памяти HBM4 в конце этого года, а отбор проб начнется в начале 2025 года, сообщает nN Elec со ссылкой на отраслевые источники. Компания планирует использовать свой новейший процесс изготовления DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

Читайте также:SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производитьNEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM с обработкой на базе искусственного интеллектаКомплект V-COLOR DDR5 RGB Filler без DRAM теперь совместим с процессорами AMD RyzenImec демонстрирует структуры с использованием EUV-литографииSamsung Electronics начинает массовое производство самых тонких в отрасли корпусов DRAM LPDDR5X

класса 10 нм для производства устройств HBM4 DRAM, а также свою логическую технологию класса 4 нм для производства базовых кристаллов HBM4, говорится в отчете.
После того, как Samsung выпустит свои первые устройства памяти HBM4 и базовые кристаллы, ее фабрики памяти и логики должны будут изготовить и собрать их, что займет пару месяцев или больше. После этого Samsung проведет внутренние испытания этих стеков HBM4, а затем начнет их отбор у своих основных клиентов, что в случае HBM4 означает ведущих производителей процессоров AI и HPC. Samsung отказалась комментировать сроки выпуска HBM4. Samsung может начать массовое производство

Поточное производство — прогрессивный способ организации производства, характеризующийся расчленением производственного процесса на отдельные, относительно короткие операции, выполняемые на специально оборудованных, последовательно расположенных рабочих местах — поточных линиях. При обеспечении автоматического перемещения производимых деталей вдоль линии линия называется конвейером, а производство — конвейерным. Википедия

HBM4 к концу 2025 года, хотя еще неизвестно, когда появятся реальные продукты, использующие эту технологию.

Компания собирается использовать свой новейший процесс изготовления DRAM класса 10 нм (10c нм, 12 нм) для создания слоев памяти HBM4, а также свой узел производства логики класса 4 нм для создания базовых кристаллов HBM4 с 2048-битным интерфейсом, утверждается в отчете. Базовые кристаллы, изготовленные по такой тонкой производственной технологии, могут быть установлены непосредственно на процессоры с использованием собственной технологии Samsung SAINT-D или аналогичных технологий.

Грядущий стандарт HBM4 определит слои 24 Гбит и 32 Гбит, а также стеки TSV 4-, 8-, 12- и 16-высотные. Трудно предсказать конфигурацию первоначальных модулей HBM4 от Samsung, хотя в отчете говорится, что компания начнет массовое производство стеков HBM4 12-High во второй половине следующего года. Скоростные диапазоны этих модулей будут зависеть от множества факторов, хотя предварительно установленные JEDEC скоростные диапазоны достигают 6,4 ГТ/с.

Главный конкурент Samsung SK Hynix

Thumbnail: HynixSK hynix Inc. (кор. 하이닉스, рус. Хайникс) — южнокорейская компания, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND. SK hynix является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятёрку ведущих производителей оперативной памяти. Википедия

Читайте также:SK hynix утверждает, что ее 3D DRAM в два раза дешевле производитьSK hynix может получить почти 1 млрд долларов на поддержку упаковочного предприятия в СШАSK hynix и правительство США предварительно договорились о заводе в ИндианеSK hynix планирует начать производство 400-слойной памяти NAND в 2025 годуSK hynix выпустила память GDDR7: на 60% быстрее и на 50% энергоэффективнее

также собирается начать массовое производство HBM4 во второй половине года, говорится в отчете, хотя и не раскрывается, когда именно начнется тестирование HBM4 от SK Hynix. Хотя изначально SK Hynix склонялась к использованию технологии 1b DRAM для слоев памяти HBM4, решение Samsung перейти на производство 1c побудило пересмотреть свое решение, согласно The Elec.
SK hynix будет сотрудничать с TSMC

Thumbnail: TSMCTSMC (аббревиатура от англ. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) — тайваньская компания, занимающаяся изучением и производством полупроводниковых изделий. Основана в 1987 году правительством Китайской республики и частными инвесторами. Штаб-квартира TSMC находится в г. Википедия

Читайте также:Совместное европейское предприятие TSMC, ESMC, начинает строительство немецкой фабрикиTSMC разрешили приступить к строительству объекта CoWoS после археологического открытияПланы SoftBank по созданию процессора Intel AI под вопросомПо слухам, TSMC начнет строительство немецкой фабрики в течение следующих нескольких недельAlphawave Semi представляет первый в отрасли 3-нм UCIe IP с корпусом TSMC CoWoS

для создания базовых кристаллов для своих модулей памяти HBM4. На Европейском технологическом симпозиуме 2024 года TSMC объявила о планах по производству этих базовых кристаллов с использованием своих передовых технологических процессов 12FFC+ (класс 12 нм) и N5 (класс 5 нм). Логическая технология N5 от TSMC позволит обеспечить более плотную интеграцию логики и более тонкие шаги межсоединений для размещения памяти непосредственно на ЦП и ГП. Напротив, базовые кристаллы, изготовленные с использованием процесса TSMC 12FFC+, позволят создавать экономически эффективные базовые кристаллы, которые используют кремниевые интерпозеры для подключения памяти к хост-процессорам.

Источник: Tomshardware.com

Подписаться на обновления Новости / Технологии

0 комментариев

Оставить комментарий


Новые комментарии

Указан неверный диаметр вентиляторов, не 80 мм, а 100 мм. И чип не 103, а 102.
  • Анон
С прошлым обновлением как раз и появилась эта ошибка. А новое как и написано не дают скачать.
  • Анон
При включении 3D Turbo Mode у вас максимум будет доступно 8 ядер и 8 потоков всего. т.е. если у вас 16 ядерный на 32 потока то будет всего 8 ядер и 8 потоков! Странная оптимизация!
  • Анон
После скачивания вышел синий экран СУПЕР!
  • Анон
требуется указать магазин и purchase date без этого не регистрирует
  • Анон
Россия на них клала❤❤❤❤, будет называться Ладушка 2.0 )))
  • Анон
ДА у меня тоже неработает уже все Вы не знаете каким способом вернуть все обратно СПАСИ
  • Анон
Хаетв Рустам Базарвич Хаетв
  • Анон
Очень довольна приложением. Пользуюсь сама и рекомендую другим.
16 способ - Ноутбук HP ProBook 4740s автоматически установлена камера HP HD Webcam [Fixed] при этом онлайн из браузера подключается камера к веб страницам, камера работает. С приложениями камера...
  • Анон

Смотреть все