Samsung может начать установку своего первого литографического станка High-NA EUV в конце 2024 года

15 августа 2024, 19:12 / Технологии → Новости / Технологии

Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

собирается начать установку своего первого инструмента EUV-литографии с числовой апертурой 0,55 (High-NA) в четвертом квартале 2024 года — первом квартале 2025 года, сообщает Seoul Economic Daily со ссылкой на свои источники. Устройство будет использоваться в первую очередь для целей исследований и разработок, поскольку компания работает над технологиями следующего поколения, требующими разрешений, обеспечиваемых инструментами High-NA EUV. Samsung также работает над экосистемой High-NA с Lasertec, JSR, Tokyo Electron и Synopsys.

Первая система литографии ASML Twinscan EXE:5000 High-NA от Samsung будет установлена в кампусе компании в Хвасоне, где она будет разрабатывать технологии производства следующего поколения для логики и DRAM. Ожидается, что подразделение будет введено в эксплуатацию к середине 2025 года. В результате Samsung запустит свой первый инструмент High-NA EUV примерно на год позже, чем Intel

Thumbnail: Intel «И́нтел» («Intel Corp.», МФА: [ˈɪntɛl ˌkɔːpə'reɪʃən]) — производитель электронных устройств и компьютерных компонентов (включая микропроцессоры, наборы системной логики (чипсеты) и др). Штаб-квартира — в Санта-Кларе (США, штат Калифорния). Википедия

, но он все равно опередит своих конкурентов TSMC и SK hynix. Когда Samsung примет High-NA EUV для массового производства, еще предстоит увидеть, но ожидается это не раньше второй половины десятилетия.

Samsung планирует разработать надежную экосистему вокруг технологии EUV с высокой числовой апертурой. Помимо приобретения литографического оборудования EUV с высокой числовой апертурой, Samsung сотрудничает с японской Lasertec с целью разработки инспекционного оборудования специально для фотошаблонов с высокой числовой апертурой. По данным DigiTimes, Samsung, как сообщается, приобрела инструмент для инспекции масок EUV с высокой числовой апертурой, Actis A300, компании Lasertec.

«Использование [специального инструмента для EUV-спектроскопии с высокой числовой апертурой] для проверки полупроводниковых масок улучшило коэффициент контрастности более чем на 30% по сравнению с обычным [специальным инструментом для EUV-спектроскопии]», — сказал доктор Мин Чол-ки из Научно-исследовательского института полупроводников Samsung Electronics на симпозиуме по литографии и формированию паттернов 2024 года.

Изображение: ASML

По данным DigiTimes, Samsung также сотрудничает с JSR, производителем фоторезистов, и Tokyo Electron, производителем травильных машин, чтобы подготовить коммерческое внедрение инструментов High-NA EUV к 2027 году. Samsung также работает с Synopsys над переходом от традиционных схемных конструкций к криволинейным рисункам на фотошаблонах. Ожидается, что это изменение улучшит точность схем, отпечатанных на пластинах, что имеет решающее значение для дальнейшего совершенствования технологических процессов.

Инструмент High-NA EUV Twinscan EXE от ASML настроен на достижение разрешения 8 нм, что существенно улучшит текущие системы Low-NA EUV, которые достигают максимума в 13 нм при однократной экспозиции. Это усовершенствование сделает транзисторы примерно в 1,7 раза меньше, что почти в три раза увеличит плотность транзисторов. Хотя системы Low-NA также могут достигать этого уровня разрешения и плотности, для них требуется дорогостоящий и сложный процесс двойного шаблонирования. Ожидается, что переход на технологию High-NA EUV устранит необходимость двойного шаблонирования, упростит производство, потенциально повысит выход продукции и снизит затраты.

Достижение этих критических размеров 8 нм имеет решающее значение для производства чипов с технологиями процесса ниже 3 нм. Тем не менее, в узлах класса 2 нм практически все производители чипов будут использовать двойную структуру. Intel также внедряет инструменты формирования структуры для своего узла 20A. Американский чиповый гигант планирует использовать High-NA EUV только со своим узлом 14A.

Между тем, переход к высокой числовой апертуре влечет за собой ряд проблем. Инструменты EUV с высокой числовой апертурой стоят дороже (380–400 млн долл. США) и имеют вдвое меньшее поле визуализации, что потребует существенных изменений в конструкции чипа. Кроме того, больший размер систем EUV с высокой числовой апертурой по сравнению с системами с низкой числовой апертурой означает, что производителям чипов придется пересмотреть свои производственные макеты для размещения этих новых машин.

Источник: Tomshardware.com