Samsung возвращает к жизни свою технологию памяти Z-NAND, ставя амбициозные цели по производительности. По данным DigiTimes, компания планирует добиться до 15-кратного увеличения скорости работы в новом поколении Z-NAND, а также внедрить технологию прямого доступа GPU к накопителям на базе этой
Читать дальше →
В последнее время цены на память DDR4 резко выросли, что изменило рыночную ситуацию. Согласно данным DRAMeXchange, к концу июля 2025 года стоимость 8Gb DDR4 достигла 3.9 доллара (около 312 рублей), что на 50% выше, чем в конце июня.Уже в июне цены на DDR4 подскочили более чем в два раза, и впервые
Читать дальше →
Компания Kioxia Corporation объявила, что её SSD-накопитель KIOXIA LC9 Series объёмом 245,76 ТБ, использующий 32-слойную память KIOXIA BiCS FLASH поколения 8 QLC 3D, получил награду FMS Best of Show в категории «SSD-технологии». Эти награды присуждаются передовым продуктам, сервисам и решениям,
Читать дальше →
Компания NEO Semiconductor, ведущий разработчик инновационных технологий памяти, анонсировала первую в мире архитектуру Extreme High Bandwidth Memory (X-HBM), предназначенную для чипов искусственного интеллекта. Новое решение создано для удовлетворения растущих потребностей генеративного ИИ и
Читать дальше →
В мире потребительской электроники произошло необычное событие: цены на оперативную память DDR4 не только резко выросли, но и впервые превысили стоимость более современной DDR5.Согласно отчетам, стоимость DDR4 за последний месяц удвоилась из-за опасений дефицита, связанных с планами производителей
Читать дальше →
Новое исследование показывает, что как обвиняемые, так и потерпевшие в делах о сексуальном насилии в равной степени подвержены искажениям памяти. Работа бросает вызов давним представлениям о том, как следует интерпретировать ошибки памяти в зале суда.Во многих судебных процессах единственными
Читать дальше →
Раджа Кодури, известный графический архитектор, ранее работавший в S3, Apple, AMD и Intel, продолжает продвигать свою концепцию высокоскоростной памяти для вычислений. На этот раз его внимание привлекла технология HBF (High-Bandwidth Flash) от компании Sandisk. В среду Кодури объявил о своём
Читать дальше →
Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) перенесла массовое производство чипов DDR5 на конец 2025 года, чтобы улучшить их качество, сообщает Digitimes. Однако, по данным издания, качество DDR5 от CXMT уже сопоставимо с продукцией тайваньской Nanya. Улучшение качества, рост выхода
Читать дальше →
Полупроводниковая промышленность официально ускорила разработку памяти следующего поколения — стандарт DDR6 появится уже скоро. Хотя энтузиасты смогут приобрести такие модули только в 2027 году, ключевые игроки рынка — Samsung, Micron и SK Hynix — уже вышли за рамки прототипов и приступили к
Читать дальше →
Исследователи из Университета Миннесоты представили прорывной материал, который может сделать компьютерную память быстрее и энергоэффективнее. Результаты работы опубликованы в журнале Advanced Materials, а технология уже запатентована.С ростом технологий увеличивается и спрос на инновационные
Читать дальше →
Учёные обнаружили, как ключевой белок помогает поддерживать прочные связи между клетками мозга, которые критически важны для обучения и памяти.Результаты исследования, опубликованные в журнале Science Advances, могут указать путь к новым методам лечения черепно-мозговых травм и заболеваний,
Читать дальше →
Китайская компания Unigroup Guoxin (紫光国芯) официально представила собственные чипы памяти PSRAM, которые уже поступили в продажу.PSRAM (псевдостатическая оперативная память с низким энергопотреблением) — это новое решение для встраиваемых систем, потребительской электроники, IoT-устройств, носимой
Читать дальше →
Компания Primemas Inc., специализирующаяся на чиплетных SoC-решениях с использованием архитектуры Hublet, объявила о готовности первых клиентских образцов контроллера памяти Compute Express Link (CXL) 3.0. Ранее компания уже поставляла инженерные образцы и платы разработки избранным стратегическим
Читать дальше →
Компания Marvell Technology, лидер в области полупроводниковых решений для инфраструктуры данных, расширила свою платформу кастомных технологий, представив первую в отрасли 2-нм кастомную статическую память с произвольным доступом (SRAM). Эта разработка предназначена для повышения производительности
Читать дальше →
Компания NVIDIA выбрала Micron Technology в качестве первого поставщика новой памяти SOCAMM для своих будущих решений.SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) — это новый тип высокопроизводительной и энергоэффективной памяти, разработанный специально для серверов искусственного
Читать дальше →
На совместном брифинге на этой неделе лаборатория Memory Systems Laboratory KAIST и группа TERA Interconnection and Packaging представили перспективную дорожную карту развития стандартов памяти High Bandwidth Memory (HBM) и ускорителей, которые будут их использовать. Как сообщают Wccftech и
Читать дальше →
Согласно данным аналитического агентства TrendForce, на прошлой неделе (13 июня) цены на оперативную память стандарта DDR4 резко выросли. В частности, стоимость DDR4 8Gb (1G x 8) 3200 подскочила на 7,8%, достигнув в среднем 3,775 доллара (~313 руб.), а DDR4 8Gb (512M×16) 3200 подорожала на 7,99%, до
Читать дальше →
13 июня 2025 года. Компания Micron официально подтвердила, что начала уведомлять клиентов о прекращении производства памяти DDR4 и LPDDR4. По данным исполнительного вице-президента и директора по бизнесу Сумита Саданы, компания планирует постепенно сокращать поставки этих типов памяти в течение
Читать дальше →
Согласно последним данным, цены на память DDR4 от компании Micron резко выросли на 50% в июне. Это касается как чипов объемом 8 Гбит, так и 16 Гбит. По словам экспертов, ситуация на рынке сейчас «довольно хаотичная».Samsung, один из крупнейших производителей памяти, планирует завершить жизненный
Читать дальше →
Компания Micron неожиданно стала первым поставщиком нового типа памяти SoCEM для NVIDIA, обойдя таких гигантов, как Samsung и SK Hynix.SoCEM — это инновационный модуль памяти, разработанный NVIDIA. Он состоит из 16 чипов LPDDR5X, объединённых в группы по 4 штуки. В отличие от HBM, где используется
Читать дальше →
