Планы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAM

/ Новости / Технологии
Планы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAM Samsung прилагает все усилия для разработки 3D DRAM, будущего компактной оперативной памяти, согласно ее презентации на IMW 2024. VCT (транзистор с вертикальным каналом) DRAM — первая гора, которая покорила эту цель, и Samsung планирует завершить ее первоначальную разработку. в следующем году, а
Читать дальше →

Ожидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBM

/ Новости / Технологии
Ожидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBM По данным TrendForce, после четырёх месяцев роста цены на микросхемы памяти DDR4 стабилизировались. Но этому положению может угрожать ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 и DDR5. В этом квартале
Читать дальше →

Новый глава полупроводникового бизнеса Samsung Electronics

/ Новости / Технологии
Новый глава полупроводникового бизнеса Samsung Electronics Компания Samsung Electronics назначила директором полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна. Он участвовал в разработке DRAM и NAND и руководил бизнесом по выпуску аккумуляторов. Новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменил Кюн Ки Хёна, который теперь будет управлять
Читать дальше →

Умер «отец DRAM» Роберт Деннард

/ Новости / Технологии
Умер «отец DRAM» Роберт Деннард Роберт Хит Деннард, пионер в области электротехники и вычислительной техники, который изобрел DRAM , скончался 23 апреля 2024 года. Это изобретение помогло создать миллиарды смартфонов, компьютеров и другой бытовой электроники. Его также будут помнить за теорию
Читать дальше →

SK Hynix построит новый завод в Южной Корее

/ Новости / Технологии
SK Hynix построит новый завод в Южной Корее Компания SK Hynix , один из крупнейших производителей чипов памяти, собирается вложить 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству DRAM-памяти в Южной Корее, сообщает Reuters. Завод будет выпускать микросхемы памяти класса HBM. www.reuters.com Один из основных
Читать дальше →

SK hynix и TSMC объединят усилия в производстве HBM4

/ Новости / Технологии
SK hynix и TSMC объединят усилия в производстве HBM4 Компании SK hynix и TSMC подписали меморандум о взаимопонимании. SK hynix будет массово производить память HBM4, что позволит ей сохранить лидерство на рынке. asia.nikkei.com По данным TrendForce, в этом году SK hynix сохранит 52,5% рынка микросхем типа HBM, Samsung Electronics займёт 42,4%, а Micron Technology — 5,1%. SK hynix
Читать дальше →

Землетрясение на Тайване вызовет 4–6%-ное падение поставок оперативной памяти Micron

/ Новости / Технологии
Землетрясение на Тайване вызовет 4–6%-ное падение поставок оперативной памяти Micron Компания Micron Technology, претендующая на субсидии в США, имеет производственные площадки на Тайване, которые после землетрясения ещё не работают в полную силу. Это приведёт к снижению поставок DRAM на 4–6 %.Micron не ожидает серьёзного влияния тайваньского землетрясения на свои поставки DRAM
Читать дальше →

Землетрясение на Тайване практически не повлияло на цены и поставки DRAM

/ Новости / Технологии
Землетрясение на Тайване практически не повлияло на цены и поставки DRAM На прошлой неделе Тайвань пережил сильное землетрясение, а последующие сообщения о том, что производители памяти отказываются публиковать контрактные цены на DRAM два дня назад, вызвали обеспокоенность по поводу повышения цен на DRAM. Возможно, повышение цен все еще
Читать дальше →

Память DRAM вновь начала дешеветь

/ Новости / Технологии
Память DRAM вновь начала дешеветь После роста ближе к концу минувшего и начале этого года, в недавнем времени спотовые цены на память DRAM стали снижаться, и этот процесс наблюдается уже не первую неделю, сообщает аналитическая компания TrendForce. В сегменте NAND торги остаются вялыми из-за избыточных объёмов
Читать дальше →

Samsung обрисовывает планы по выпуску 3D DRAM, которая появится во второй половине десятилетия

/ Новости / Технологии
Samsung обрисовывает планы по выпуску 3D DRAM, которая появится во второй половине десятилетия DRAM на основе 3D-транзисторов обсуждается уже много лет, но настоящие производители памяти воздерживаются от каких-либо реальных заявлений по этому поводу. Однако на прошлой неделе Samsung решила нарушить молчание на конференции Memcom и раскрыла некоторые свои планы
Читать дальше →

Первое в мире гибридное устройство CXL сочетает в себе флэш-память и оперативную память

/ Новости / Технологии
Первое в мире гибридное устройство CXL сочетает в себе флэш-память и оперативную память Компания Samsung представила новую карту расширения Compute Express Link (CXL) под названием CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory (CMM-H TM), которая добавляет дополнительную оперативную и флэш-память, которую могут удаленно использовать центральные процессоры и графические ускорители. Карта
Читать дальше →

Новое ПО от Phison повышает эффективность памяти для обучения ИИ

/ Новости / Технологии
Новое ПО от Phison повышает эффективность памяти для обучения ИИ Стенд Phison на GTC 2024 преподнес неожиданный сюрприз: компания продемонстрировала единственную рабочую станцию с четырьмя графическими процессорами, использующую твердотельные накопители и DRAM для расширения эффективного пространства памяти для рабочих нагрузок ИИ, что
Читать дальше →

Samsung разрабатывает первую в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм со скоростью до 7,2 Гбит/с

/ Новости / Технологии
Samsung разрабатывает первую в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм со скоростью до 7,2 Гбит/с Компания Samsung объявила о разработке 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM следующего поколения, способной обеспечить скорость передачи данных до 7,2 Гбит/с. Пресс-релиз: Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке своей
Читать дальше →

Мировые цены на DRAM снизятся до 18% в декабре и достигнут дна к первому кварталу 2023 года

/ Новости / Технологии
Мировые цены на DRAM снизятся до 18% в декабре и достигнут дна к первому кварталу 2023 года Инсайдеры отрасли наблюдают снижение стоимости DRAM. Цена памяти резко упадет в период между последним кварталом 2022 года и первым кварталом следующего года. Специалисты утверждают, что мы увидим корректировку стоимости в пределах 13-18 процентов. Три месяца назад Trendforce подсчитала, что
Читать дальше →