Intel возвращается на рынок DRAM с новой технологией ZAM: до 512 ГБ на чип и вдвое меньше энергопотребления

На фоне бума в строительстве AI-инфраструктуры, который спровоцировал взрывной спрос на DRAM, Intel планирует вернуться на рынок оперативной памяти, который покинула 40 лет назад.

Согласно имеющейся информации, Intel заключит глубокое партнёрство с дочерней компанией SoftBank — Saimemory. Вместе они займутся разработкой новой технологии памяти следующего поколения под названием ZAM (Z-angle memory, или «Z-угловая память»). Её ключевые особенности — максимальная ёмкость одного чипа до 512 ГБ и энергопотребление на 40–50% ниже, чем у нынешней популярной памяти HBM. Эта технология может изменить конкурентный ландшафт глобального рынка памяти в эпоху искусственного интеллекта.

Обучение больших AI-моделей и вычисления в гипермасштабных дата-центрах подстёгивают экспоненциальный рост потребности в вычислительной мощности, делая высокоскоростную память ключевым элементом аппаратных AI-систем.

Конкурентное преимущество технологии ZAM кроется в её инновационной архитектуре. В отличие от традиционной памяти с вертикальной разводкой, в ZAM используется топология со скрещёнными соединениями и диагональной «зигзагообразной» разводкой, что оптимизирует компоновку чипов в стеке. В сочетании с технологией гибридной медной склейки (copper-copper hybrid bonding) это позволяет эффективно объединять слои, формируя монолитную кремниевую структуру, похожую на единый чип.

Кроме того, в ZAM используется конструкция без конденсаторов, а для высокоскоростного и эффективного соединения с AI-чипами применяется проверенная технология Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge). Это упрощает производственный процесс, одновременно повышая плотность хранения данных и снижая тепловое сопротивление чипа.

По сравнению с доминирующей в AI-сфере памятью HBM, преимущества ZAM весьма значительны. Максимальная ёмкость одного чипа в 512 ГБ намного превосходит текущие предложения HBM. Снижение энергопотребления на 40–50% напрямую решает острую проблему высокого энергопотребления AI-дата-центров. А «зигзагообразная» схема соединений дополнительно упрощает производство, закладывая основу для последующего масштабирования выпуска.

Стоит отметить, что это не первый опыт Intel в области DRAM. Компания была важным игроком на рынке памяти в прошлом, но под давлением жёсткой конкуренции со стороны японских производителей её доля рынка неуклонно сокращалась, и в 1985 году Intel окончательно покинула эту нишу.

Сейчас взрывной рост индустрии искусственного интеллекта открывает новые возможности для развития технологий памяти. Опираясь на свой богатый опыт в области передовой упаковки чипов и их послойного наращивания (чиплеты), Intel намерена с помощью технологии ZAM вновь завоевать влияние на рынке памяти.

Однако окончательный успех будет зависеть от того, сможет ли компания убедить таких отраслевых лидеров, как NVIDIA, принять новую технологию и тем самым нарушить сложившуюся рыночную расстановку сил.