Imec ускорила производство чипов за счёт кислорода в процессе EUV-литографии

Исследователи из бельгийского исследовательского центра Imec представили метод, позволяющий повысить производительность оборудования для EUV-литографии. Учёные обнаружили, что увеличение концентрации кислорода на этапе постэкспозиционного нагрева (PEB) ускоряет работу металлооксидного резиста.

В стандартном процессе пластины после экспонирования в вакууме переносятся в модуль нагрева, где атмосфера содержит 21% кислорода (как в обычном воздухе). Эксперименты Imec показали, что повышение уровня кислорода до 50% увеличивает фотоскорость резиста на 15–20%. Это позволяет достичь целевых размеров элементов при меньшей дозе EUV-излучения, что сокращает время экспозиции и повышает пропускную способность сканера.

Металлооксидные резисты считаются перспективными для перспективных технологических процессов с использованием Low-NA и High-NA EUV-литографии из-за высокого разрешения и низкой шероховатости краёв линий. Новый метод может дополнительно улучшить их характеристики.

Для проведения экспериментов Imec разработала специальную установку BEFORCE, которая изолирует процесс обработки и нагрева пластин от окружающей среды фабрики и позволяет контролировать состав газа в камере.

«Контролируемый состав газа предоставляет дополнительный рычаг для изучения влияния окружающей среды на литографическую вариабельность материалов MOR. Производители оборудования могут использовать эти данные как руководство для адаптации своих инструментов», — заявил старший исследователь Imec Иван Поллентье.

Внедрение метода в промышленное производство потребует от производителей чипов и создателей оборудования воспроизвести условия, созданные в установке BEFORCE, на этапе PEB.