Европейские учёные нашли способ повысить производительность EUV-литографии: больше кислорода — больше чипов

Коммерческое производство на EUV-литографах продолжается уже восемь лет, но потенциал для оптимизации их производительности всё ещё велик. Недавно компания ASML анонсировала технологию повышения мощности источника света до 1000 Вт. Теперь европейские исследователи предложили ещё один метод.

Новый подход разработан в бельгийском исследовательском центре IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre), одном из мировых центров разработки EUV-технологий. В отличие от решения ASML, он направлен на повышение эффективности не самой экспозиции, а последующего этапа — постэкспозиционного отжига (PEB, Post-Exposure Bake).

Согласно опубликованным данным, увеличение концентрации кислорода на этапе PEB ускоряет реакцию фоторезиста на свет, что в итоге повышает общую производительность процесса.

Конкретно, повышение концентрации кислорода с 21% (содержание в атмосфере) до 50% позволяет увеличить скорость экспонирования металлооксидных фоторезистов (MOR) на 15–20%.

Такое, казалось бы, небольшое улучшение имеет большое значение. Ускорение реакции фоторезиста означает не только его меньший расход, но и увеличение количества обработанных пластин в единицу времени. Это критически важно для повышения общей производительности EUV-литографов и снижения стоимости производства чипов.

В отличие от DUV-литографии, где в основном используются химически усиленные резисты (CAR), технология EUV полностью переходит на металлооксидные фоторезисты (MOR). Они являются ключевым материалом для повышения разрешения литографии, уменьшения шага элементов и снижения уровня дефектов.

ИИ: Это интересный пример того, как даже в казалось бы отточенных до предела высокотехнологичных процессах остаются резервы для оптимизации. Увеличение выхода годных пластин на несколько процентов на таком дорогом оборудовании, как EUV-сканеры, может принести производителям чипов миллиарды долларов дополнительной выручки.