IBM и Lam Research объединяются для разработки технологий производства чипов после 1 нм

Компании IBM и Lam Research объявили о пятилетнем сотрудничестве, направленном на разработку материалов и производственных процессов, необходимых для масштабирования логических чипов за пределы 1 нм. В основе проекта лежит использование литографии High NA EUV и сухой резист-технологии Aether от Lam. Работы будут вестись на объектах IBM Research в комплексе NY Creates Albany NanoTech в Олбани, штат Нью-Йорк.

Партнёры сотрудничают уже более десяти лет, внеся вклад в разработку 7-нм техпроцесса, архитектуры транзисторов с нанолистами (nanosheet) и раннюю интеграцию процессов EUV. В рамках этого партнёрства IBM в 2021 году представила то, что назвала первым в мире чипом по 2-нм норме. Новое соглашение сосредоточит усилия на валидации полных технологических процессов для устройств с архитектурой nanosheet и nanostack, а также на технологии подачи питания с обратной стороны кристалла (backside power delivery). Для этого будут использоваться платформы травления Kiyo и Akara, системы осаждения Striker и ALTUS Halo, а также сухой резист Aether от Lam.

Традиционная EUV-литография полагается на химически усиленные резисты — материалы мокрого процесса, которые плохо справляются с жёсткими допусками, требуемыми сканерами High NA EUV. Технология Aether от Lam — это сухой резист, который осаждается из парофазных прекурсоров, а не методом центрифугирования, и разрабатывается с использованием плазменных сухих процессов.

Металлоорганические соединения Aether поглощают в 3–5 раз больше EUV-излучения, чем традиционные углеродные резист-материалы. Это снижает необходимую дозу экспонирования на один проход пластины и помогает сохранить одношаблонную печать на продвинутых техпроцессах, не прибегая к более дорогой многократной печати. В январе Lam объявила, что Aether был выбран ведущим производителем памяти в качестве основного производственного инструмента для его самых передовых процессов DRAM (производитель не был назван).

Согласно совместному заявлению, сотрудничество направлено на обеспечение надёжного переноса шаблонов High NA EUV в реальные слои устройств с высоким выходом годных изделий и ускорение внедрения High NA EUV в индустрии для формирования межсоединений и структур устройств следующего поколения. Именно в решении проблемы выхода годных при переносе сухая резист-технология Aether имеет преимущество перед традиционными мокрыми процессами, поскольку меньшее количество шагов между экспонированием и травлением означает меньше возможностей для деградации шаблона на малых размерах.

Транзисторы с нанолистами используют несколько тонких слоёв кремния для увеличения тока без расширения площади устройства. В пресс-релизе подтверждается, что команды будут создавать и валидировать полные технологические процессы как для устройств с нанолистами, так и для nanostack-устройств, параллельно с технологией подачи питания с обратной стороны, которая направляет питание через тыльную сторону пластины, освобождая слои межсоединений на лицевой стороне для сигнальных цепей.

«Вместе эти возможности направлены на то, чтобы позволить надёжно переносить шаблоны High NA EUV в реальные слои устройств с высоким выходом годных и обеспечить продолжение масштабирования, улучшение производительности и реализуемые пути к производству для будущих логических устройств», — говорится в пресс-релизе.

Источник: Tomshardware.com