TSMC отказывается от литографии с высокой числовой апертурой для разработки узла A14

TSMC решила не использовать литографию High-NA EUV для своего будущего узла A14 эпохи Ангстрем. Вместо этого крупнейший в мире контрактный производитель микросхем будет придерживаться проверенных на практике инструментов EUV 0,33-NA. Старший вице-президент TSMC Кевин Чжан объяснил, что этот выбор отражает постоянное внимание TSMC к сохранению простоты производственных этапов и контроля затрат. Чжан отметил, что массовое производство микросхем A14 планируется начать в 2028 году, и компания считает, что сможет достичь своих целевых показателей производительности, выхода годных и плотности на протяжении всего двухнанометрового поколения без необходимости использования оборудования High-NA. Он отметил, что, ограничивая количество слоев маски от поколения к поколению, TSMC может предложить клиентам более доступные решения, не жертвуя сложностью там, где это имеет значение.

Эта стратегия ставит TSMC в один ряд с Intel Foundry и несколькими производителями DRAM, которые уже выборочно внедрили High-NA для своих самых критических слоев. Сканеры High-NA EUV имеют высокую цену в 380 миллионов долларов, требуют более высоких доз облучения и, как правило, работают с более низкой производительностью, чем стандартные инструменты. Исследователи IBM недавно подтвердили, что одно облучение High-NA может стоить до 2,5 раз больше, чем снимок с низкой NA. Тем не менее, если сравнивать поток с низкой NA с четырьмя масками с одним проходом High-NA, общие затраты на пластину могут снизиться примерно в 1,7–2,1 раза. Несмотря на эту экономию в сложных сценариях с несколькими шаблонами, аналитики SemiAnalysis по-прежнему ожидают, что полный паритет затрат не наступит до 2030 года. Пока что Intel является единственным крупным литейным заводом, приверженным High-NA для крупносерийного производства. Компания уже обработала более 30 000 пробных пластин на своем узле 14A с использованием инструмента Twinscan EXE:5000 High-NA от ASML.