CXMT поставляет 16 нм память G4 DDR5 в коммерческих комплектах DDR5-6000

TechInsights идентифицировала новые 16 нм чипы DRAM от CXMT в модулях Gloway DDR-6000 UDIMM, подтвердив прогресс в китайской индустрии памяти. Чип CXMT 16 Гбит DDR5 имеет площадь 67 квадратных миллиметров с плотностью 0,239 Гбит на квадратный миллиметр. Ячейки G4 DRAM на 20 процентов меньше, чем у предыдущего поколения CXMT G3. Это следует за прогрессом компании от узлов 23 нм (G1) и 18 нм (G2). Несмотря на это достижение, CXMT по-прежнему отстает примерно на три года от Samsung, SK Hynix и Micron по производственным возможностям. Компания из Хэфэя достигла этого производственного рубежа в условиях санкций США, ограничивающих доступ к определенному производственному оборудованию и материалам, что отбросило ее на годы назад в освоении производства передовых узлов памяти.

TechInsights обнаружил эти Чипы в коммерчески доступных модулях памяти, подтвердив выход CXMT на производство DDR5. Предполагается, что технология DDR5 станет основным стандартом DRAM до 2027 года. Три основных производителя DRAM выпускали DDR5 на протяжении нескольких поколений, и теперь скорость DDR5 достигает 10 000 МТ/с. Это первый продукт DDR5 DRAM от CXMT, который выйдет на потребительский рынок. Чипы соответствуют основным требованиям совместимости для текущих спецификаций DDR5, что означает, что китайское производство памяти достигло производства памяти «1z» на своей территории. Это вторая важная новость для китайской полупроводниковой промышленности, сразу после того, как TechInsights также подтвердил, что YMTC начала поставки 292-слойной флэш-памяти NAND. Поскольку внутренний спрос на память и хранилища, как ожидается, останется высоким, мы задаемся вопросом, превысит ли предложение спрос и позволит ли некоторым оставшимся чипам использоваться по всему миру.