CXMT достиг 80% выхода годных чипов DDR5

27 декабря 2024, 19:06 / Технологии → Новости / Технологии

Согласно недавнему анализу Citigroup, CXMT

, китайский производитель микросхем памяти, демонстрирует значительный прогресс в повышении производительности DDR5. Производительность DDR5 компании достигла приблизительно 80%, что является существенным улучшением по сравнению с первоначальным показателем в 50% при начале производства. Этот прогресс основан на опыте CXMT в производстве DDR4

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Википедия

, где компания достигла производительности около 90%. В настоящее время компания управляет двумя производственными объектами в Хэфэе, при этом Fab 1 предназначен для производства DDR4 по 19-нм техпроцессу и имеет производительность 100 000 пластин в месяц. Fab 2 фокусируется на производстве DDR5 по 17-нм техпроцессу и имеет текущую производительность 50 000 пластин в месяц. Производительность DDR5 компании CXMT может увеличиться еще больше, примерно до 90% к концу 2025 года.

Несмотря на эти улучшения, CXMT сталкивается с технологическими проблемами по сравнению с лидерами отрасли. Текущий производственный процесс компании составляет 19 нм для DDR4 и 17 нм для DDR5, отставая от таких конкурентов, как Samsung и SK Hynix, которые производят 12 нм чипы DDR5. Этот технологический разрыв приводит к более высокому энергопотреблению и менее благоприятным форм-факторам для продуктов CXMT. Компания в первую очередь нацелена на внутренних китайских OEM-клиентов смартфонов и компьютеров. Заглядывая вперед, CXMT планирует расширить свои возможности DDR5 и HBM с потенциальной дополнительной мощностью 50 000 пластин в месяц на Fab 2 в 2025 году, если рыночные условия окажутся благоприятными. Компания также добивается прогресса в разработке HBM2, при этом уже ведутся отборы образцов для клиентов, а мелкосерийное производство, как ожидается, начнется в середине 2025 года.