Китайская компания CXMT начала выпуск памяти DDR5
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Imec разрабатывает новую буферную память CXL, которая может превзойти плотность бит DRAMKioxia разрабатывает технологию OCTRAM (оксидно-полупроводниковый канальный транзистор DRAM)NVIDIA демонстрирует будущий дизайн ускорителя ИИ: кремниевая фотоника и DRAM поверх вычисленийSamsung: планы на 2026–2027 ггSamsung разрабатывает первую в отрасли память GDDR7 DRAM емкостью 24 Гбайт
Память DDR5 от CXMT, как полагают, производится с использованием процесса G3 от CXMT, ширина линии которого составляет 17,5 нм, сообщает ZDNet Korea со ссылкой на свои источники. Эксперты, опрошенные сайтом, оценивают выход продукции примерно в 80%, хотя они не раскрывают подробности о том, какие микросхемы были проанализированы.
DDR5 SDRAM (англ. Википедия
Недавно KingBank и Gloway начали продавать модули DDR5 емкостью 32 ГБ на базе микросхем DDR5 с маркировкой «отечественная». Хотя производитель явно не указан, это явно указывает на причастность CXMT, поскольку это самый передовой производитель DRAM в Китае.
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Википедия
Читайте также:Biostar запускает память Storming V DDR4Китайские производители DDR4 на 50% дешевле южнокорейских конкурентовУтечка диаграммы чипсета Intel Arrow Lake показывает больше линий PCIe, без поддержки DDR4Ожидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBMТест памяти DDR5-4800 МГц – на 53% быстрее, чем DDR4
На данный момент сложно сказать, сможет ли CXMT наводнить рынок микросхемами DDR5 SDRAM. Хотя ее производственные мощности выглядят весьма внушительными, остается неясным, какая часть этих мощностей может быть выделена на открытый рынок, поскольку основной целью всех китайских производителей микросхем является удовлетворение местного спроса в целом и спроса со стороны контролируемых государством субъектов в частности. Кроме того, санкции со стороны США и Нидерландов значительно ограничивают возможности CXMT по наращиванию производства и доли рынка.
В любом случае, производство памяти DDR5 китайским производителем DRAM может оказать глубокое влияние на рынок. Если CXMT отнимет долю рынка у Micron, Samsung и SK hynix в Китае, эти компании будут вынуждены перенаправить свой выпуск DDR5 в другие места, что увеличит конкуренцию и снизит цены. Это будет хорошей новостью для конечных пользователей, но плохой новостью для олигополии производителя DRAM, которая наслаждалась своего рода негласным перемирием, что в значительной степени позволяет избежать ценовых войн.
Источник: Tomshardware.com
0 комментариев