Kioxia планирует массовое производство 1000-слойной памяти 3D NAND к 2031 году

5 апреля 2024, 23:48 / Технологии → Новости / Технологии

Kioxia планирует массово производить память 3D

3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия

NAND с более чем 1000 слоями к 2031 году, по словам технического директора (CTO) компании Хидефуми Миядзима, сообщает Xtech Nikkei. Во время своей лекции на 71-м весеннем собрании Общества прикладной физики в Токийском городском университете Миядзима обсудил технические проблемы и решения для создания более 1000 слоев в устройстве 3D NAND.

Увеличение количества активных слоев в устройстве 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи флэш-памяти, поэтому все производители 3D NAND стремятся делать это с помощью новых технологических узлов каждые 1,5–2 года. Каждый новый узел сопряжен с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится увеличивать количество слоев и сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Этот процесс требует от производителей использования новых материалов с каждым новым узлом, что является серьезной проблемой для исследований и разработок.

На сегодняшний день лучшим устройством 3D NAND от Kioxia является память BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и интерфейсом 3,2 ГТ/с (впервые представленная в марте 2023 года). В этом поколении представлена новая архитектура CBA (CMOS, непосредственно связанная с массивом), которая включает в себя отдельное производство пластин массива ячеек 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода с использованием наиболее подходящей технологической технологии и их соединение вместе. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, что гарантирует возможность использования памяти для создания лучших твердотельных накопителей.

Между тем, Kioxia и ее партнер-производитель Western Digital не раскрыли подробности архитектуры CBA. Производя ячейки памяти и периферийные схемы отдельно, производители могут использовать наиболее эффективные технологические процессы для каждого компонента, что приводит к дальнейшим преимуществам по мере продвижения отрасли к таким методам, как укладка строк, которые, безусловно, будут использоваться для 1000-слойной 3D NAND.

Следует отметить, что Samsung также рассчитывает достичь производственного уровня 1000-слойной 3D NAND.