Kioxia прекращает производство 2D NAND, эра планарной памяти подходит к концу

Японская компания Kioxia уведомила клиентов о планах по прекращению производства планарной (2D) NAND-памяти и флеш-памяти третьего поколения BiCS 3D NAND. Как сообщает TechNews.tw, это означает окончательный уход с рынка технологии, которая предшествовала 3D NAND и производилась с 1980-х годов.

Список снимаемых с производства продуктов обширен. В него входят планарные чипы с плавающим затвором, изготовленные по техпроцессам 32 нм (одноуровневые ячейки SLC, выпускались с 2009 года), 24 нм (многоуровневые MLC, с 2010 года) и 15 нм (MLC и трехуровневые TLC, с 2014 года), а также ранняя 3D NAND с 64 слоями BiCS3 (представлена около 2017 года). Фаза-аут затрагивает все основные типы ячеек — SLC, MLC и TLC — и практически все форм-факторы: от сырых пластин до упакованных решений в корпусах BGA, TSOP, eMMC, UFS и карт памяти SD.

Процесс прекращения выпуска будет постепенным. Заказы на последнюю партию (last-time-buy) будут приниматься до 30 сентября 2026 года, а окончательные отгрузки продукции продолжатся до 31 декабря 2028 года. После этой даты данные продукты будут полностью сняты с производства, что ознаменует выход Kioxia из сегмента устаревшей планарной и ранней 3D NAND в пользу более современных поколений 3D NAND.

Это событие знаменует конец эры планарной NAND-памяти в целом — технологии, которая впервые была запущена в производство компанией Toshiba около 1987 года и будет окончательно прекращена её правопреемником Kioxia в 2028 году, спустя 41 год.

Сегодня 2D NAND в основном используется в устаревшем оборудовании: автомобильной электронике, потребительских устройствах, встраиваемых и промышленных системах, а также в некоторых специализированных накопителях с длительным жизненным циклом. Хотя цены на устаревшие типы памяти обычно фиксируются для поддержания экономической целесообразности производства, для Kioxia сохранение мощностей под 2D NAND на фоне взрывного спроса со стороны сектора ИИ теряет смысл. По мере истечения долгосрочных контрактов на поставки с клиентами компания объявляет о планах по свёртыванию производства.

Интересный факт: Планарная (2D) NAND-память, производство которой сейчас сворачивается, стала технологическим фундаментом для всей современной флеш-памяти. Её принцип хранения заряда в плавающем затворе, изобретённый ещё в 1967 году, позволил создать компактные, энергонезависимые и быстрые накопители, которые вытеснили магнитные диски из большинства потребительских устройств. Пионером в коммерциализации NAND стала именно Toshiba (чей бизнес по флеш-памяти позже был выделен в Kioxia) под руководством изобретателя Фудзио Масуоки.