Высокопроизводительные вычисления для искусственного интеллекта требуют не только мощных GPU, но и высокой пропускной способности памяти, где HBM-память уже стала необходимостью. После перехода на HBM4 в следующем году следующим поколением станет HBM4e.Samsung, которая отставала от SK Hynix в
Читать дальше →
Компания Samsung раскрыла подробности о своем новом поколении памяти HBM4e на саммите OCP Global Summit. Целью является достижение скорости передачи данных свыше 13 Гбит/с на контакт и общей пропускной способности 3,25 ТБ/с, что примерно в 2,5 раза быстрее, чем у HBM3e. Компания также заявляет о
Читать дальше →
Компания Micron подтвердила партнерство с TSMC для производства базовых логических кристаллов для памяти следующего поколения HBM4E. Целевой срок начала производства — 2027 год. Это заявление было сделано во время отчета о прибылях и убытках Micron за четвертый финансовый квартал 23 сентября.Micron
Читать дальше →