Память Samsung HBM4e с пропускной способностью 3,25 ТБ/с выйдет в 2027 году

/ Новости / Технологии
Память Samsung HBM4e с пропускной способностью 3,25 ТБ/с выйдет в 2027 году Высокопроизводительные вычисления для искусственного интеллекта требуют не только мощных GPU, но и высокой пропускной способности памяти, где HBM-память уже стала необходимостью. После перехода на HBM4 в следующем году следующим поколением станет HBM4e.Samsung, которая отставала от SK Hynix в
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Samsung представила планы по HBM4e и сообщила о рекордной прибыли

/ Новости / Технологии
Samsung представила планы по HBM4e и сообщила о рекордной прибыли Компания Samsung раскрыла подробности о своем новом поколении памяти HBM4e на саммите OCP Global Summit. Целью является достижение скорости передачи данных свыше 13 Гбит/с на контакт и общей пропускной способности 3,25 ТБ/с, что примерно в 2,5 раза быстрее, чем у HBM3e. Компания также заявляет о
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Micron и TSMC объединились для производства памяти HBM4E к 2027 году

/ Новости / Технологии
Micron и TSMC объединились для производства памяти HBM4E к 2027 году Компания Micron подтвердила партнерство с TSMC для производства базовых логических кристаллов для памяти следующего поколения HBM4E. Целевой срок начала производства — 2027 год. Это заявление было сделано во время отчета о прибылях и убытках Micron за четвертый финансовый квартал 23 сентября.Micron
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0