Samsung представила HBM4E — память нового поколения с космической скоростью до 3,25 ТБ/с

Samsung представила очередное поколение своей ультрабыстрой памяти для центров обработки данных и ускорителей ИИ. На саммите Open Compute Project Global Summit корейский гигант объявил подробности о HBM4 и HBM4E, которые обеспечат огромный скачок производительности по сравнению с существующими решениями.

Согласно представленным данным, HBM4E достигнет скорости до 13 Гбит/с на контакт, что обеспечивает пропускную способность 3,25 ТБ/с на один стек памяти — это почти в 2,5 раза больше, чем у HBM3E. Не менее важно, что новый стандарт предлагает почти вдвое более высокую энергоэффективность, что критически важно для применений в сфере ИИ и высокопроизводительных вычислений (HPC).

Samsung подчеркивает, что HBM4E была разработана с учетом архитектур нового поколения, таких как NVIDIA Rubin, а технологический процесс на основе 4 нм позволяет обеспечить еще лучший контроль затрат и маржи благодаря производству на собственных фабриках. Источники из Кореи указывают, что компания планирует очень агрессивную ценовую политику, чтобы укрепить свои позиции по отношению к конкурентам — SK hynix и Micron.

Параллельно ведутся работы над стандартным HBM4, который должен достигать скорости 11 Гбит/с на контакт — уже выше лимитов, установленных организацией JEDEC. Официальный дебют HBM4 и HBM4E ожидается в начале 2026 года, когда начнется их массовое производство для нужд нового поколения чипов ИИ и GPU.