Южнокорейские гиганты ускоряют разработку HBM4E, чтобы занять 40% рынка к 2027 году

Южнокорейские технологические гиганты Samsung и SK Hynix активизируют разработку памяти следующего поколения HBM4E, чтобы укрепить свои позиции в конкурентной борьбе за рынок высокопроизводительных решений для систем искусственного интеллекта.

С появлением нового поколения AI-ускорителей, которые впервые используют индивидуальные проекты на основе HBM4, роль высокоскоростной памяти в повышении производительности и снижении задержек становится все более критически важной.

На этапе HBM4E в отрасли ожидается дальнейший переход от стандартизированных продуктов к индивидуальным решениям, где ключевые компоненты будут разрабатываться специально под требования конкретных заказчиков. Этот переход может стать решающим фактором, влияющим на конкурентную расстановку сил среди поставщиков.

В настоящее время и Samsung, и SK Hynix планируют завершить разработку HBM4E в первой половине 2026 года. Поскольку AI-ускорители с этой памятью, как ожидается, поступят на рынок в 2027 году, компаниям необходимо пройти проверку качества во второй половине 2026 года, что и объясняет ускорение темпов исследований и разработок.

В индивидуальных проектах HBM базовые кристаллы могут проектироваться и производиться с учетом специфических потребностей клиента. Это предъявляет более высокие требования к проектно-конструкторским возможностям и производственным процессам производителей DRAM, и только компании, способные быстро реагировать на запросы рынка, смогут получить преимущество в этой области.

Начиная с HBM4, Samsung перешла на производство базовых кристаллов на своих мощностях, что, возможно, составляет основу ее конкурентного преимущества. SK Hynix, хотя также перешла на фабричную модель, выбрала сотрудничество с TSMC для совместной разработки продуктов HBM. Компания Micron, руководствуясь соображениями стоимости, на этапе HBM4 продолжает использовать DRAM-процесс для производства базовых кристаллов, планируя перейти на производство у TSMC только на этапе HBM4E.

Аналитики указывают, что HBM4E имеет все шансы стать мейнстрим-продуктом на рынке HBM в течение двух лет и, по прогнозам, к 2027 году займет около 40% рынка.

Высокоскоростная память HBM (High Bandwidth Memory) играет ключевую роль в современных системах искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислениях, обеспечивая исключительную пропускную способность для процессоров и ускорителей. Технология продолжает развиваться, и ожидается, что HBM4E предложит еще более высокую производительность и энергоэффективность по сравнению с текущими поколениями.