Samsung представила планы по HBM4e и сообщила о рекордной прибыли

Компания Samsung раскрыла подробности о своем новом поколении памяти HBM4e на саммите OCP Global Summit. Целью является достижение скорости передачи данных свыше 13 Гбит/с на контакт и общей пропускной способности 3,25 ТБ/с, что примерно в 2,5 раза быстрее, чем у HBM3e. Компания также заявляет о более чем двукратном повышении энергоэффективности: потребление энергии снизится ниже 1,95 пДж/бит, что менее половины показателя HBM3e.

Согласно сообщениям SeDaily и Tweaktown, разработка была инициирована по запросу NVIDIA, которой требуется более скоростная память для ее будущего AI-ускорителя Vera Rubin. В то время как стандарт JEDEC HBM4 ограничивает пропускную способность 8 Гбит/с на контакт, NVIDIA, по сообщениям, настоятельно рекомендовала Samsung, SK hynix и Micron превысить планку в 10 Гбит/с.

Издание Chosun Daily сообщает, что Samsung может распустить свою рабочую группу по улучшению выхода годных кристаллов 1c DRAM, чтобы ускорить массовое производство HBM4, даже несмотря на то, что ранние холодные тесты показывают выход годной продукции ниже 50%. Компания, как сообщается, пропустила свой обычный внутренний обзор производства и перешла непосредственно к наращиванию объемов.

TrendForce добавляет, что Samsung перевела процесс создания базовых кристаллов для HBM4 на 4 нм техпроцесс FinFET, что ставит ее впереди конкурентов как по скорости, так и по масштабам производства. Серийный выпуск чипов с поддержкой 10 Гбит/с ожидается к концу 2025 года.

Кроме того, во вторник Samsung объявила финансовые результаты за третий квартал 2025 года. Операционная прибыль компании неожиданно выросла на 32% по сравнению с прошлым годом и составила 12,1 трлн вон (около 680 млрд рублей), что значительно превысило рыночные прогнозы в 10 трлн вон. Хотя Samsung не поделилась детализированными цифрами, аналитики, упомянутые в отчете, оценивают, что только полупроводниковое подразделение (DS) заработало около 5 трлн вон (около 280 млрд рублей), что более чем в 10 раз превышает прибыль второго квартала в 400 млрд вон (около 22,5 млрд рублей).

Основной причиной возвращения Samsung в третьем квартале стало значительное улучшение показателей подразделения контрактного производства (foundry). Эта часть бизнеса повысила эффективность за счет работы на более высоких мощностях и привлечения новых клиентов. Полные результаты, включая разбивку по бизнес-направлениям, Samsung раскроет 30 октября.

Интересный факт: HBM (High Bandwidth Memory) — это тип памяти с высокой пропускной способностью, который стал ключевым компонентом для современных систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. Технология позволяет размещать несколько чипов памяти вертикально, что значительно увеличивает скорость обмена данными с процессором.