Samsung представит HBM4E на 2-нм техпроцессе, оставив конкурентов позади

Рост популярности памяти HBM в эпоху искусственного интеллекта стал одной из причин дефицита памяти DDR, что объясняется высоким спросом и требованиями к производственным мощностям в сфере ИИ.

Ранее компания SK Hynix обогнала Samsung на рынке памяти HBM и стала основным поставщиком для графических процессоров NVIDIA. Однако Samsung заявила, что догнала конкурента в сегменте HBM4, став первой в мире компанией, начавшей массовое производство этой памяти.

Теперь Samsung планирует укрепить свои позиции, используя самые передовые технологии в следующем поколении — HBM4E. Ключевым нововведением станет переход на техпроцесс 1c и использование базового кристалла, изготовленного по 2-нм норме.

Для сравнения, в текущей версии HBM4 от Samsung используется собственный 4-нм техпроцесс, а чипы HBM от SK Hynix до сих пор производятся с использованием 12-нм техпроцесса TSMC, что подчеркивает агрессивность планов Samsung.

Ожидается, что переход на 2-нм техпроцесс позволит памяти HBM4E значительно улучшить показатели рассеивания тепла, энергоэффективности и использования ресурсов кристалла, что еще больше укрепит лидерство компании.

Ожидается, что память HBM4E будет выпущена в середине 2026 года, а специализированная версия — во второй половине года.

Разумеется, SK Hynix не намерена сильно отставать. Модифицированная версия её памяти HBM4E также будет обновлена до 3-нм техпроцесса TSMC, и её производительность может оказаться даже немного выше, чем у 2-нм решения Samsung.

Для Samsung переход на 2 нм стал знаковым. Благодаря массовому производству чипа Exynos 2600, 2-нм техпроцесс наконец избавился от прежней репутации некачественного продукта. Он не только готов к массовому выпуску, но и соответствует современным стандартам производительности и энергоэффективности. Компания Tesla уже начала размещать дополнительные заказы, и ожидается, что производственные мощности Samsung вырастут более чем вдвое, достигнув уровня в 40 000 пластин в месяц.