Samsung показала первый макет HBM5 с системой охлаждения Heat Path Block

Samsung продемонстрировала первый физический макет памяти HBM5 на выставке Computex 2026 в Тайбэе. Ресурс Tom's Hardware посетил стенд компании, чтобы увидеть сочетание ИИ-памяти восьмого поколения с новой внутрикорпусной структурой охлаждения, получившей название Heat Path Block (HPB). Буквально на прошлой неделе конкурент SK hynix представил собственное тепловое решение iHBM, что означает, что обе компании теперь сосредоточились на одной и той же проблеме — отводе тепла от интерфейса «кристалл-кристалл», соединяющего память с процессором. Samsung также подтвердила, что будет производить базовый кристалл HBM5 по собственному 2-нм техпроцессу, отказавшись от 4-нм техпроцесса, используемого для HBM4 и HBM4E.

Изображение: Future

• Дорожная карта HBM
• Дорожная карта корпоративных GPU и CPU Nvidia
• Дорожная карта ИИ-ускорителей
• Дорожная карта десктопных GPU
• Дорожная карта 3D NAND

Как сообщили представители Samsung на Computex, HPB не позволяет теплу рассеиваться наружу через основные кристаллы, а создает отдельный набор тепловых колонн, которые отводят тепло изнутри стека и переносят его к распределителю, расположенному над корпусом или рядом с ним.

Изображение: Future

Конструкция ориентирована на слой D2D PHY — высокоскоростное соединение между базовым кристаллом HBM и GPU, где плотность мощности и температура экспоненциально возрастают по мере увеличения высоты стеков и повышения скорости работы. Samsung заявила, что уже внедрила и проверила HPB на памяти HBM4E, первые 12-слойные образцы которой компания начала отгружать в прошлом месяце на скорости 14 Гбит/с с масштабированием до 16 Гбит/с и пропускной способностью 3,6 ТБ/с на стек.

Samsung управляет как бизнесом по производству памяти, так и контрактным производством логических микросхем, что позволяет ей создавать стек HBM5 и 2-нм кристалл под ним собственными силами. «ИИ-системы становятся все более мощными и плотно интегрированными, поэтому управление теплом, эффективность обработки данных и стабильность корпусировки становятся не менее важными, чем производительность самой памяти», — заявил журналистам на Computex Сон Джэ Хёк, президент и технический директор подразделения Device Solutions компании Samsung, по сообщению Korea Herald. Сон отметил, что компания продолжит наращивать свою конкурентоспособность в области памяти следующего поколения через сотрудничество с партнерами, включая Nvidia.

В прошлом году дорожная карта KAIST прогнозировала, что HBM5 достигнет 4096-битного интерфейса, пропускной способности около 4 ТБ/с на стек и энергопотребления около 100 Вт на стек. Такая тепловая нагрузка во многом объясняет, почему оба корейских гиганта памяти перерабатывают свои корпусные решения сейчас, а не на этапе запуска в производство.

Изображение: Future

Изображение: Future

SK hynix столкнулась с той же проблемой, но пошла другим путем. В конструкции iHBM в слой D2D PHY встраиваются охлаждающие элементы из электропроводного, но теплоизолирующего кремния. Компания заявляет, что это снижает тепловое сопротивление более чем на 30% по сравнению с текущими продуктами.

SK hynix решила разместить охлаждающий элемент непосредственно в зоне перегрева, в то время как Samsung построила маршрут для отвода тепла от нее. Оба метода должны дебютировать с HBM5, но пройдет некоторое время, прежде чем мы увидим их в действии, поскольку ни одна из компаний не ожидает начала массового производства ранее 2028 года.

Источник: Tomshardware.com