Samsung закрывает последнюю линию по производству 2D NAND, переоборудуя её под 1c DRAM

Компания Samsung Electronics ускоряет переход от устаревших технологий производства памяти. Как сообщают СМИ, последняя производственная линия компании по выпуску 2D NAND-памяти будет официально закрыта уже в марте.

Эта линия, расположенная на заводе в Хвасоне (Южная Корея), в настоящее время имеет мощность около 80 000–100 000 12-дюймовых пластин в месяц. Однако её остановка — не конец, а начало трансформации. Оборудование будет переоборудовано в цех постобработки DRAM, где будут выполняться такие этапы, как формирование металлических соединений и обработка поверхности кристаллов.

После модернизации линия поможет распределить нагрузку между другими DRAM-линиями завода в Хвасоне, повысив общую эффективность производства. Этот шаг был предсказуем: ещё в отчёте за четвёртый квартал прошлого года Samsung заявила о прекращении производства традиционной 2D NAND в пользу передовых технологий.

Рынок 2D NAND, который когда-то использовался в недорогих USB-флешках, значительно сократился с распространением более ёмкой и эффективной 3D V-NAND-памяти. Все крупные производители уже завершили переход на 3D-архитектуру.

С завершением модернизации линии 12 в Хвасоне структура производственных мощностей Samsung станет более понятной: завод в Хвасоне сосредоточится на производстве памяти DRAM, а завод в Пхёнтеке продолжит заниматься как производством DRAM, так и NAND.

Параллельно идёт переориентация линии P4 на заводе в Пхёнтеке, которая из комбинированного производства DRAM и NAND переключится на выпуск одноядерной DRAM (1c DRAM). Завод Samsung в Сиане (Китай) продолжит выпуск NAND, одновременно модернизируя свои техпроцессы.

Эти изменения направлены не только на оптимизацию ресурсов, но и на подготовку к выпуску памяти следующего поколения HBM4. Производимая после модернизации одноядерная DRAM является ключевым компонентом для будущих высокоскоростных модулей HBM4. Согласно планам Samsung, общая мощность производства 1c DRAM должна достичь примерно 200 000 пластин в месяц уже во второй половине этого года.

Интересный факт: Массовое производство 3D V-NAND Samsung начала ещё в 2013 году, что ознаменовало начало конца для планарной (2D) архитектуры флеш-памяти. За прошедшее более чем десятилетие плотность и производительность 3D NAND выросли в десятки раз, позволив создавать SSD-накопители объёмом в несколько терабайт для потребительских устройств.